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Toshiba N-Kanal MOSFET TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)

Toshiba N-Kanal MOSFET TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)

Schirmer-Artikelnummer
1004810
Hersteller
Toshiba

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Produktdetails & Spezifikationen

Der TK25A10K3 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in Silizium-Technik der Baureihe U-MOS IV mit 100 V Sperrspannung und 25 A Drain-Dauerstrom. Das Bauteil sitzt in einem isolierten TO-220SIS-Gehäuse mit drei Anschlüssen und erreicht einen typischen Einschaltwiderstand von 31 mΩ.

Allgemeines

HerstellerToshiba
Typ / ModellTK25A10K3
Artikelnummer1004810
BaureiheU-MOS IV

Technische Daten

KanaltypN-Kanal, Anreicherungstyp
Drain-Source-Spannung VDSS100 V
Gate-Source-Spannung VGSS±20 V
Drain-Dauerstrom ID25 A
Einschaltwiderstand RDS(on) typ.31 mΩ
Vorwärtssteilheit |Yfs| typ.50 S
Leckstrom IDSS max.10 µA (VDS = 100 V)
Gate-Schwellenspannung Vth2,0 bis 4,0 V
Gesamt-Gateladung Qg34 nC
Verlustleistung PD25 W
GehäuseTO-220SIS

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