
Toshiba N-Kanal MOSFET TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)
- Schirmer-Artikelnummer
- 1004810
- Hersteller
- Toshiba
Auf Anfrage verfügbar
Preis auf Anfrage
Was dann passiert
Wir melden uns so schnell wie möglich bei Ihnen mit allen Einzelheiten.
Sichere Zahlungsarten
Versicherter Versand
Wir versenden alle Artikel versichert, inklusive DHL-Sendungsverfolgung. Expressversand ist auf Anfrage möglich.
Fragen zum Produkt?
Bitte gleichen Sie die Typenbezeichnung und Ausführung mit Ihrem Bauteil ab. Sie sind unsicher oder benötigen Angaben zum Lieferumfang? Fragen Sie uns direkt zu diesem Artikel.
Produktdetails & Spezifikationen
Der TK25A10K3 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in Silizium-Technik der Baureihe U-MOS IV mit 100 V Sperrspannung und 25 A Drain-Dauerstrom. Das Bauteil sitzt in einem isolierten TO-220SIS-Gehäuse mit drei Anschlüssen und erreicht einen typischen Einschaltwiderstand von 31 mΩ.
Allgemeines
| Hersteller | Toshiba |
|---|---|
| Typ / Modell | TK25A10K3 |
| Artikelnummer | 1004810 |
| Baureihe | U-MOS IV |
Technische Daten
| Kanaltyp | N-Kanal, Anreicherungstyp |
|---|---|
| Drain-Source-Spannung VDSS | 100 V |
| Gate-Source-Spannung VGSS | ±20 V |
| Drain-Dauerstrom ID | 25 A |
| Einschaltwiderstand RDS(on) typ. | 31 mΩ |
| Vorwärtssteilheit |Yfs| typ. | 50 S |
| Leckstrom IDSS max. | 10 µA (VDS = 100 V) |
| Gate-Schwellenspannung Vth | 2,0 bis 4,0 V |
| Gesamt-Gateladung Qg | 34 nC |
| Verlustleistung PD | 25 W |
| Gehäuse | TO-220SIS |