Mitsubishi Electric QM75DY-HB Transistor-Modul 75A 600V
- Schirmer-Artikelnummer
- 129610
- Hersteller
- Mitsubishi Electric
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Produktdetails & Spezifikationen
Isoliertes bipolares Transistormodul mit zwei Transistoren in Halbbrückenschaltung für je 75 A Kollektorstrom und 600 V Kollektor-Emitter-Spannung. Jeder Zweig besitzt eine antiparallele Freilaufdiode, das Gehäuse misst 94 x 34 mm und ist mit 2500 V AC isoliert.
Allgemeines
| Hersteller | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Typ / Modell | QM75DY-HB |
| Artikelnummer | 129610 |
| Baureihe | QM |
Technische Daten
| Schaltung | 2 Transistoren, Halbbrücke (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung VCEX | 600 V |
| Kollektor-Basis-Spannung VCBO | 600 V |
| Emitter-Basis-Spannung VEBO | 7 V |
| Kollektorstrom IC (DC) | 75 A |
| Kollektor-Rückstrom −IC (Diode, DC) | 75 A |
| Verlustleistung PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Basisstrom IB (DC) | 4,5 A |
| Stoßstrom Diode −ICSM | 750 A |
| DC-Stromverstärkung h FE | min. 750 |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) | max. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung VBE(sat) | max. 3,0 V |
| Diodendurchlassspannung | max. 1,8 V |
| Einschaltzeit ton | max. 2,0 µs |
| Speicherzeit ts | max. 8,0 µs |
| Fallzeit tf | max. 3,0 µs |
| Wärmewiderstand Rth(j-c) Transistor | max. 0,35 °C/W je Hälfte |
| Wärmewiderstand Rth(j-c) Diode | max. 1,3 °C/W je Hälfte |
| Sperrschichttemperatur Tj | −40 bis +150 °C |
| Lagertemperatur | −40 bis +125 °C |
| Isolationsspannung | 2500 V AC (1 min) |
| Hauptanschlüsse | M5 |
| Befestigungsschrauben | M6 |
| Abmessungen | 94 x 34 mm |
| Gewicht | 210 g (typ.) |
| Zulassung | UL recognized (File No. E80271) |