Zum Inhalt springen
Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V 1 / 2

Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V

Schirmer-Artikelnummer
1003710
Hersteller
Mitsubishi Electric

Verfügbar

238,00 €*

200,00 € netto zzgl. 19 % MwSt. (Lieferung nach Deutschland)

* Alle Preise inkl. gesetzlicher MwSt., zzgl. Versandkosten

Kostenlos

Vorschau für diesen Artikel und die gewählte Menge. Endbetrag und mögliche Steueranpassungen werden im Checkout berechnet.

Lagerware versenden wir innerhalb von 1–2 Werktagen nach Zahlungseingang, bei Kauf auf Rechnung nach Auftragsbestätigung. Zustellung nach Versand: Deutschland 1–3 Werktage, übrige EU 3–7 Werktage, Schweiz, Norwegen, Island und Liechtenstein 5–10 Werktage.

(4 verfügbar)

Unverbindlich. Wir bestätigen Preis und Verfügbarkeit.

Sichere Zahlungsarten

VisaMastercardRechnung (Firmenkunden)Vorkasse

Versicherter Versand

Wir versenden alle Artikel versichert, inklusive DHL-Sendungsverfolgung. Expressversand ist auf Anfrage möglich.

Fragen zum Produkt?

Bitte gleichen Sie die Typenbezeichnung und Ausführung mit Ihrem Bauteil ab. Sie sind unsicher oder benötigen Angaben zum Lieferumfang? Fragen Sie uns direkt zu diesem Artikel.

Produktdetails & Spezifikationen

Intelligentes Leistungsmodul in Flat-Base-Bauweise mit isoliertem Gehäuse und sechs IGBTs der 4. Generation in dreiphasiger Brückenschaltung für 600 V und 75 A. Gate-Ansteuerung sowie Schutz und Fehlermeldung bei Überstrom, Kurzschluss, Übertemperatur und Unterspannung sind integriert.

Allgemeines

HerstellerMitsubishi Electric
Typ / ModellPM75CSD060
Artikelnummer1003710
BaureiheCSD (IPM 4. Generation)

Technische Daten

Kollektor-Emitter-Spannung VCES600 V
Kollektorstrom ±IC (TC = 25 °C)75 A
Spitzenkollektorstrom ±ICP150 A
Verlustleistung PC (TC = 25 °C)255 W
Schaltung3-phasiger Wechselrichter (6 IGBTs mit Freilaufdioden)
Schaltfrequenz (Auslegung)15 kHz
VCE(sat)typ. 1,7 V, max. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C)
Versorgungsspannung VD (max.)20 V
Kurzschlussgeschützte Zwischenkreisspannung VCC(PROT)400 V
Zwischenkreisspannung Spitze VCC(surge)500 V
Wärmewiderstand Rth(j-c) IGBTmax. 0,49 °C/W
Wärmewiderstand Rth(j-c) Diodemax. 1,38 °C/W
Sperrschichttemperatur Tj−20 bis +150 °C
Gehäusetemperatur TC−20 bis +100 °C
Lagertemperatur−40 bis +125 °C
Isolationsspannung2500 Vrms (60 Hz, 1 min)
SchutzfunktionenÜberstrom, Kurzschluss, Übertemperatur, Unterspannung
Steueranschlüsse19

Häufige Fragen

Verbindung wird wiederhergestellt …

Die Verbindung ist unterbrochen.