Mitsubishi QM75HA-H Hochleistungs-Transistormodul 75A 600V
- Schirmer-Artikelnummer
- 1596
- Hersteller
- Mitsubishi Electric
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Produktdetails & Spezifikationen
Isoliertes bipolares Leistungstransistormodul mit einem Transistor für 75 A Kollektorstrom und 600 V Kollektor-Emitter-Spannung. Eine antiparallele Freilaufdiode ist integriert, die Bodenplatte ist mit 2500 V AC gegen die Anschlüsse isoliert und die Hauptanschlüsse sind als M4-Schraubklemmen ausgeführt.
Allgemeines
| Hersteller | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Typ / Modell | QM75HA-H |
| Artikelnummer | 1596 |
| Baureihe | QM |
Technische Daten
| Kollektor-Emitter-Spannung VCEX | 600 V |
|---|---|
| Kollektor-Basis-Spannung VCBO | 600 V |
| Emitter-Basis-Spannung VEBO | 7 V |
| Kollektorstrom IC (DC) | 75 A |
| Kollektor-Rückstrom −IC (Diode, DC) | 75 A |
| Verlustleistung PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Basisstrom IB (DC) | 4,5 A |
| Stoßstrom Diode −ICSM | 750 A |
| DC-Stromverstärkung h FE | min. 75 |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) | max. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung VBE(sat) | max. 2,5 V |
| Diodendurchlassspannung | max. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Einschaltzeit ton | max. 2,5 µs |
| Speicherzeit ts | max. 12 µs |
| Fallzeit tf | max. 3,0 µs |
| Wärmewiderstand Rth(j-c) Transistor | max. 0,35 °C/W |
| Wärmewiderstand Rth(j-c) Diode | max. 1,3 °C/W |
| Sperrschichttemperatur Tj | −40 bis +150 °C |
| Lagertemperatur | −40 bis +125 °C |
| Isolationsspannung | 2500 V AC (1 min) |
| Hauptanschlüsse | M4 |
| Befestigungsschrauben | M5 |
| Gewicht | 90 g (typ.) |
| Zulassung | UL recognized (File No. E80271) |