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NIEC PDMB200E6 IGBT-Transistormodul 200A 600V

NIEC PDMB200E6 IGBT-Transistormodul 200A 600V

Schirmer-Artikelnummer
1937
Hersteller
NIEC

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Produktdetails & Spezifikationen

IGBT-Transistormodul für industrielle Leistungsanwendungen mit 200 A Kollektorstrom und 600 V Sperrspannung.

Allgemeines

Hersteller NIEC
Typ / Modell NIEC PDMB200E6 IGBT-Transistormodul 200A 600V
Artikelnummer 1937

Technische Daten

Bauteiltyp IGBT-Transistormodul
Transistortyp N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) 600 V
Max. Kollektorstrom 200 A
Max. Betriebstemperatur 150 °C
Anzahl Elemente 2
Anschlüsse 7
RoHS Nicht konform

Häufige Fragen

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