Fuji Electric 2MBI200N-060 module IGBT 600V 200A
- Référence Schirmer
- 100910
- Fabricant
- Fuji Electric
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Détails et spécifications du produit
Module IGBT de la série N avec deux IGBT en montage demi-pont et diodes de roue libre antiparallèles pour 600 V et 200 A. Le boîtier isolé dispose de bornes à vis M5, une limitation de courant interne à environ trois fois le courant nominal est présente.
Généralités
| Fabricant | Fuji Electric |
|---|---|
| Type / modèle | 2MBI200N-060 |
| Référence article | 100910 |
| Série | Série N |
Données techniques
| Tension collecteur-émetteur VCES | 600 V |
|---|---|
| Tension grille-émetteur VGES | ±20 V |
| Courant de collecteur IC (continu) | 200 A |
| Courant de collecteur IC impulsionnel (1 ms) | 400 A |
| Puissance dissipée PC | 780 W |
| VCE(sat) | max. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Tension de seuil de grille VGE(th) | 4,5 à 7,5 V |
| Capacité d'entrée Cies | 13200 pF |
| Capacité de sortie Coes | 2930 pF |
| Capacité de transfert inverse Cres | 1330 pF |
| Temps de mise en conduction ton | typ. 0,6 µs, max. 1,2 µs |
| Temps de blocage toff | typ. 0,6 µs, max. 1,0 µs |
| Tension directe de la diode VF | max. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Temps de recouvrement inverse trr | max. 300 ns |
| Résistance thermique Rth(j-c) IGBT | max. 0,16 °C/W |
| Résistance thermique Rth(j-c) diode | max. 0,35 °C/W |
| Température de jonction Tj | max. +150 °C |
| Température de stockage | −40 à +125 °C |
| Tension d'isolement | 2500 V AC (1 min) |
| Couple de serrage | 2,5 à 3,5 Nm (M5) |