Toshiba MOSFET canal N TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)
- Référence Schirmer
- 1004810
- Fabricant
- Toshiba
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Détails et spécifications du produit
Le TK25A10K3 est un MOSFET de puissance canal N en technologie silicium de la série U-MOS IV avec une tension de blocage de 100 V et un courant de drain continu de 25 A. Le composant est logé dans un boîtier isolé TO-220SIS à trois broches et atteint une résistance à l'état passant typique de 31 mΩ.
Généralités
| Fabricant | Toshiba |
|---|---|
| Type / Modèle | TK25A10K3 |
| Référence article | 1004810 |
| Série | U-MOS IV |
Données techniques
| Type de canal | Canal N, type à enrichissement |
|---|---|
| Tension drain-source VDSS | 100 V |
| Tension grille-source VGSS | ±20 V |
| Courant de drain continu ID | 25 A |
| Résistance à l'état passant RDS(on) typ. | 31 mΩ |
| Transconductance directe |Yfs| typ. | 50 S |
| Courant de fuite IDSS max. | 10 µA (VDS = 100 V) |
| Tension de seuil de grille Vth | 2,0 à 4,0 V |
| Charge totale de grille Qg | 34 nC |
| Puissance dissipée PD | 25 W |
| Boîtier | TO-220SIS |