Mitsubishi Electric QM75DY-HB module transistor 75A 600V
- Référence Schirmer
- 129610
- Fabricant
- Mitsubishi Electric
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Détails et spécifications du produit
Module transistor bipolaire isolé avec deux transistors en montage demi-pont, chacun pour un courant collecteur de 75 A et une tension collecteur-émetteur de 600 V. Chaque branche dispose d'une diode de roue libre antiparallèle, le boîtier mesure 94 x 34 mm et est isolé sous 2500 V AC.
Généralités
| Fabricant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / modèle | QM75DY-HB |
| Référence article | 129610 |
| Série | QM |
Données techniques
| Circuit | 2 transistors, demi-pont (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Tension collecteur-émetteur VCEX | 600 V |
| Tension collecteur-base VCBO | 600 V |
| Tension émetteur-base VEBO | 7 V |
| Courant collecteur IC (DC) | 75 A |
| Courant inverse collecteur −IC (diode, DC) | 75 A |
| Puissance dissipée PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Courant de base IB (DC) | 4,5 A |
| Courant de surcharge diode −ICSM | 750 A |
| Gain en courant DC h FE | min. 750 |
| Tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat) | max. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Tension de saturation base-émetteur VBE(sat) | max. 3,0 V |
| Tension directe de la diode | max. 1,8 V |
| Temps de mise en conduction ton | max. 2,0 µs |
| Temps de stockage ts | max. 8,0 µs |
| Temps de descente tf | max. 3,0 µs |
| Résistance thermique Rth(j-c) transistor | max. 0,35 °C/W par moitié |
| Résistance thermique Rth(j-c) diode | max. 1,3 °C/W par moitié |
| Température de jonction Tj | −40 à +150 °C |
| Température de stockage | −40 à +125 °C |
| Tension d'isolement | 2500 V AC (1 min) |
| Bornes principales | M5 |
| Vis de fixation | M6 |
| Dimensions | 94 x 34 mm |
| Poids | 210 g (typ.) |
| Homologation | UL recognized (File No. E80271) |