1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Référence Schirmer
- 1003710
- Fabricant
- Mitsubishi Electric
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Détails et spécifications du produit
Module de puissance intelligent à semelle plate avec boîtier isolé et six IGBT de 4e génération en pont triphasé pour 600 V et 75 A. La commande de grille ainsi que la protection et le signalement de défaut en cas de surintensité, court-circuit, surchauffe et sous-tension sont intégrés.
Généralités
| Fabricant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / modèle | PM75CSD060 |
| Référence article | 1003710 |
| Série | CSD (IPM 4e génération) |
Données techniques
| Tension collecteur-émetteur VCES | 600 V |
|---|---|
| Courant collecteur ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Courant collecteur de crête ±ICP | 150 A |
| Puissance dissipée PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Circuit | Onduleur triphasé (6 IGBT avec diodes de roue libre) |
| Fréquence de commutation (conception) | 15 kHz |
| VCE(sat) | typ. 1,7 V, max. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Tension d'alimentation VD (max.) | 20 V |
| Tension du circuit intermédiaire protégée contre les courts-circuits VCC(PROT) | 400 V |
| Tension de crête du circuit intermédiaire VCC(surge) | 500 V |
| Résistance thermique Rth(j-c) IGBT | max. 0,49 °C/W |
| Résistance thermique Rth(j-c) diode | max. 1,38 °C/W |
| Température de jonction Tj | −20 à +150 °C |
| Température du boîtier TC | −20 à +100 °C |
| Température de stockage | −40 à +125 °C |
| Tension d'isolement | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Fonctions de protection | Surintensité, court-circuit, surchauffe, sous-tension |
| Bornes de commande | 19 |