Mitsubishi QM30HA-H module transistor 30A 600V
- Référence Schirmer
- 1595
- Fabricant
- Mitsubishi Electric
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Détails et spécifications du produit
Module transistor de puissance bipolaire isolé avec un transistor pour un courant collecteur de 30 A et une tension collecteur-émetteur de 600 V. Une diode de roue libre antiparallèle est intégrée, le boîtier est isolé sous 2500 V AC et dispose de bornes à vis M4 pour le collecteur, l'émetteur et la base.
Généralités
| Fabricant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / modèle | QM30HA-H |
| Référence article | 1595 |
| Série | QM |
Données techniques
| Tension collecteur-émetteur VCEX | 600 V |
|---|---|
| Tension collecteur-base VCBO | 600 V |
| Tension émetteur-base VEBO | 7 V |
| Courant collecteur IC (DC) | 30 A |
| Courant inverse collecteur −IC (diode, DC) | 30 A |
| Puissance dissipée PC (TC = 25 °C) | 250 W |
| Courant de base IB (DC) | 1,8 A |
| Courant de surcharge diode −ICSM | 300 A |
| Gain en courant DC h FE | min. 75 |
| Tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat) | max. 2,0 V (IC = 30 A, IB = 0,4 A) |
| Tension de saturation base-émetteur VBE(sat) | max. 2,5 V |
| Tension directe de la diode | max. 1,85 V (−IC = 30 A) |
| Temps de mise en conduction ton | max. 1,5 µs |
| Temps de stockage ts | max. 12 µs |
| Temps de descente tf | max. 3,0 µs |
| Résistance thermique Rth(j-c) transistor | max. 0,5 °C/W |
| Résistance thermique Rth(j-c) diode | max. 2,0 °C/W |
| Température de jonction Tj | −40 à +150 °C |
| Température de stockage | −40 à +125 °C |
| Tension d'isolement | 2500 V AC (1 min) |
| Bornes principales | M4 |
| Vis de fixation | M5 |
| Poids | 90 g (typ.) |
| Homologation | UL recognized (File No. E80271) |