Module transistor IGBT NIEC PDMB200E6 200A 600V
- Référence Schirmer
- 1937
- Fabricant
- NIEC
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Détails et spécifications du produit
Module transistor IGBT pour applications de puissance industrielles avec un courant collecteur de 200 A et une tension de blocage de 600 V.
Généralités
| Fabricant | NIEC |
|---|---|
| Type / Modèle | Module transistor IGBT NIEC PDMB200E6 200A 600V |
| Référence article | 1937 |
Données techniques
| Type de composant | Module transistor IGBT |
|---|---|
| Type de transistor | Transistor bipolaire à grille isolée canal N |
| Tension collecteur-émetteur (VCEO) | 600 V |
| Courant collecteur max. | 200 A |
| Température de fonctionnement max. | 150 °C |
| Nombre d’éléments | 2 |
| Connexions | 7 |
| RoHS | Non conforme |