Fuji Electric 2MBI200N-060 IGBT-module 600V 200A
- Schirmer-artikelnummer
- 100910
- Fabrikant
- Fuji Electric
Beschikbaar
119,00 €*
100,00 € netto, excl. 19 % btw (levering naar Duitsland)
* Alle prijzen incl. wettelijke btw, excl. verzendkosten
Gratis
Schatting voor dit artikel en het gekozen aantal. Eindbedrag en belastingen worden bij het afrekenen berekend.
Artikelen op voorraad verzenden wij binnen 1–2 werkdagen na ontvangst van de betaling, bij aankoop op rekening na de orderbevestiging. Levering na verzending: Duitsland 1–3 werkdagen, overige EU 3–7 werkdagen, Zwitserland, Noorwegen, IJsland en Liechtenstein 5–10 werkdagen.
Vrijblijvend. Wij bevestigen prijs en beschikbaarheid.
Veilige betaalmethoden
Verzekerde verzending
Alle artikelen worden verzekerd verzonden, inclusief DHL-tracking. Spoedverzending is op aanvraag mogelijk.
Vragen over dit product?
Vergelijk het model en de uitvoering met uw onderdeel. Twijfelt u over de compatibiliteit of wat is inbegrepen? Vraag ons naar dit artikel.
Productgegevens & specificaties
IGBT-module uit de N-serie met twee IGBT's in halvebrugschakeling en antiparallelle vrijloopdiodes voor 600 V en 200 A. De geïsoleerde behuizing heeft M5-schroefaansluitingen, intern is een stroombegrenzing op ongeveer driemaal de nominale stroom aanwezig.
Algemeen
| Fabrikant | Fuji Electric |
|---|---|
| Type / model | 2MBI200N-060 |
| Artikelnummer | 100910 |
| Serie | N-serie |
Technische gegevens
| Collector-emitterspanning VCES | 600 V |
|---|---|
| Gate-emitterspanning VGES | ±20 V |
| Collectorstroom IC (continu) | 200 A |
| Collectorstroom IC puls (1 ms) | 400 A |
| Verliesvermogen PC | 780 W |
| VCE(sat) | max. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Gate-drempelspanning VGE(th) | 4,5 tot 7,5 V |
| Ingangscapaciteit Cies | 13200 pF |
| Uitgangscapaciteit Coes | 2930 pF |
| Terugkoppelcapaciteit Cres | 1330 pF |
| Inschakeltijd ton | typ. 0,6 µs, max. 1,2 µs |
| Uitschakeltijd toff | typ. 0,6 µs, max. 1,0 µs |
| Diodedoorlaatspanning VF | max. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Sperhersteltijd trr | max. 300 ns |
| Thermische weerstand Rth(j-c) IGBT | max. 0,16 °C/W |
| Thermische weerstand Rth(j-c) diode | max. 0,35 °C/W |
| Junctietemperatuur Tj | max. +150 °C |
| Opslagtemperatuur | −40 tot +125 °C |
| Isolatiespanning | 2500 V AC (1 min) |
| Aanhaalmoment | 2,5 tot 3,5 Nm (M5) |