Mitsubishi Electric QM75DY-HB transistormodule 75A 600V
- Schirmer-artikelnummer
- 129610
- Fabrikant
- Mitsubishi Electric
Beschikbaar
107,10 €*
90,00 € netto, excl. 19 % btw (levering naar Duitsland)
* Alle prijzen incl. wettelijke btw, excl. verzendkosten
Gratis
Schatting voor dit artikel en het gekozen aantal. Eindbedrag en belastingen worden bij het afrekenen berekend.
Artikelen op voorraad verzenden wij binnen 1–2 werkdagen na ontvangst van de betaling, bij aankoop op rekening na de orderbevestiging. Levering na verzending: Duitsland 1–3 werkdagen, overige EU 3–7 werkdagen, Zwitserland, Noorwegen, IJsland en Liechtenstein 5–10 werkdagen.
Vrijblijvend. Wij bevestigen prijs en beschikbaarheid.
Veilige betaalmethoden
Verzekerde verzending
Alle artikelen worden verzekerd verzonden, inclusief DHL-tracking. Spoedverzending is op aanvraag mogelijk.
Vragen over dit product?
Vergelijk het model en de uitvoering met uw onderdeel. Twijfelt u over de compatibiliteit of wat is inbegrepen? Vraag ons naar dit artikel.
Productgegevens & specificaties
Geïsoleerde bipolaire transistormodule met twee transistors in halvebrugschakeling voor elk 75 A collectorstroom en 600 V collector-emitterspanning. Elke tak heeft een antiparallelle vrijloopdiode, de behuizing meet 94 x 34 mm en is met 2500 V AC geïsoleerd.
Algemeen
| Fabrikant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / model | QM75DY-HB |
| Artikelnummer | 129610 |
| Serie | QM |
Technische gegevens
| Schakeling | 2 transistors, halve brug (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Collector-emitterspanning VCEX | 600 V |
| Collector-basisspanning VCBO | 600 V |
| Emitter-basisspanning VEBO | 7 V |
| Collectorstroom IC (DC) | 75 A |
| Collector-terugstroom −IC (diode, DC) | 75 A |
| Vermogensdissipatie PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Basisstroom IB (DC) | 4,5 A |
| Piekstroom diode −ICSM | 750 A |
| DC-stroomversterking h FE | min. 750 |
| Collector-emitterverzadigingsspanning VCE(sat) | max. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Basis-emitterverzadigingsspanning VBE(sat) | max. 3,0 V |
| Doorlaatspanning diode | max. 1,8 V |
| Inschakeltijd ton | max. 2,0 µs |
| Opslagtijd ts | max. 8,0 µs |
| Daaltijd tf | max. 3,0 µs |
| Warmteweerstand Rth(j-c) transistor | max. 0,35 °C/W per helft |
| Warmteweerstand Rth(j-c) diode | max. 1,3 °C/W per helft |
| Junctietemperatuur Tj | −40 tot +150 °C |
| Opslagtemperatuur | −40 tot +125 °C |
| Isolatiespanning | 2500 V AC (1 min) |
| Hoofdaansluitingen | M5 |
| Bevestigingsschroeven | M6 |
| Afmetingen | 94 x 34 mm |
| Gewicht | 210 g (typ.) |
| Goedkeuring | UL recognized (File No. E80271) |