1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Schirmer-artikelnummer
- 1003710
- Fabrikant
- Mitsubishi Electric
Beschikbaar
238,00 €*
200,00 € netto, excl. 19 % btw (levering naar Duitsland)
* Alle prijzen incl. wettelijke btw, excl. verzendkosten
Gratis
Schatting voor dit artikel en het gekozen aantal. Eindbedrag en belastingen worden bij het afrekenen berekend.
Artikelen op voorraad verzenden wij binnen 1–2 werkdagen na ontvangst van de betaling, bij aankoop op rekening na de orderbevestiging. Levering na verzending: Duitsland 1–3 werkdagen, overige EU 3–7 werkdagen, Zwitserland, Noorwegen, IJsland en Liechtenstein 5–10 werkdagen.
Vrijblijvend. Wij bevestigen prijs en beschikbaarheid.
Veilige betaalmethoden
Verzekerde verzending
Alle artikelen worden verzekerd verzonden, inclusief DHL-tracking. Spoedverzending is op aanvraag mogelijk.
Vragen over dit product?
Vergelijk het model en de uitvoering met uw onderdeel. Twijfelt u over de compatibiliteit of wat is inbegrepen? Vraag ons naar dit artikel.
Productgegevens & specificaties
Intelligente vermogensmodule in flat-base-uitvoering met geïsoleerde behuizing en zes IGBT's van de 4e generatie in driefasige brugschakeling voor 600 V en 75 A. Gate-aansturing en beveiliging en foutmelding bij overstroom, kortsluiting, overtemperatuur en onderspanning zijn geïntegreerd.
Algemeen
| Fabrikant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / model | PM75CSD060 |
| Artikelnummer | 1003710 |
| Serie | CSD (IPM 4e generatie) |
Technische gegevens
| Collector-emitterspanning VCES | 600 V |
|---|---|
| Collectorstroom ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Piekcollectorstroom ±ICP | 150 A |
| Vermogensdissipatie PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Schakeling | 3-fasige omvormer (6 IGBT's met vrijloopdiodes) |
| Schakelfrequentie (ontwerp) | 15 kHz |
| VCE(sat) | typ. 1,7 V, max. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Voedingsspanning VD (max.) | 20 V |
| Tegen kortsluiting beveiligde tussenkringspanning VCC(PROT) | 400 V |
| Piekspanning tussenkring VCC(surge) | 500 V |
| Warmteweerstand Rth(j-c) IGBT | max. 0,49 °C/W |
| Warmteweerstand Rth(j-c) diode | max. 1,38 °C/W |
| Junctietemperatuur Tj | −20 tot +150 °C |
| Behuizingstemperatuur TC | −20 tot +100 °C |
| Opslagtemperatuur | −40 tot +125 °C |
| Isolatiespanning | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Beveiligingsfuncties | Overstroom, kortsluiting, overtemperatuur, onderspanning |
| Stuuraansluitingen | 19 |