Mitsubishi QM75HA-H hoogvermogen-transistormodule 75A 600V
- Schirmer-artikelnummer
- 1596
- Fabrikant
- Mitsubishi Electric
Beschikbaar
59,50 €*
50,00 € netto, excl. 19 % btw (levering naar Duitsland)
* Alle prijzen incl. wettelijke btw, excl. verzendkosten
6,19 €
Schatting voor dit artikel en het gekozen aantal. Eindbedrag en belastingen worden bij het afrekenen berekend.
Artikelen op voorraad verzenden wij binnen 1–2 werkdagen na ontvangst van de betaling, bij aankoop op rekening na de orderbevestiging. Levering na verzending: Duitsland 1–3 werkdagen, overige EU 3–7 werkdagen, Zwitserland, Noorwegen, IJsland en Liechtenstein 5–10 werkdagen.
Vrijblijvend. Wij bevestigen prijs en beschikbaarheid.
Veilige betaalmethoden
Verzekerde verzending
Alle artikelen worden verzekerd verzonden, inclusief DHL-tracking. Spoedverzending is op aanvraag mogelijk.
Vragen over dit product?
Vergelijk het model en de uitvoering met uw onderdeel. Twijfelt u over de compatibiliteit of wat is inbegrepen? Vraag ons naar dit artikel.
Productgegevens & specificaties
Geïsoleerde bipolaire vermogenstransistormodule met één transistor voor 75 A collectorstroom en 600 V collector-emitterspanning. Een antiparallelle vrijloopdiode is geïntegreerd, de bodemplaat is met 2500 V AC geïsoleerd ten opzichte van de aansluitingen en de hoofdaansluitingen zijn uitgevoerd als M4-schroefklemmen.
Algemeen
| Fabrikant | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / model | QM75HA-H |
| Artikelnummer | 1596 |
| Serie | QM |
Technische gegevens
| Collector-emitterspanning VCEX | 600 V |
|---|---|
| Collector-basisspanning VCBO | 600 V |
| Emitter-basisspanning VEBO | 7 V |
| Collectorstroom IC (DC) | 75 A |
| Collector-terugstroom −IC (diode, DC) | 75 A |
| Vermogensdissipatie PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Basisstroom IB (DC) | 4,5 A |
| Piekstroom diode −ICSM | 750 A |
| DC-stroomversterking h FE | min. 75 |
| Collector-emitterverzadigingsspanning VCE(sat) | max. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Basis-emitterverzadigingsspanning VBE(sat) | max. 2,5 V |
| Doorlaatspanning diode | max. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Inschakeltijd ton | max. 2,5 µs |
| Opslagtijd ts | max. 12 µs |
| Daaltijd tf | max. 3,0 µs |
| Warmteweerstand Rth(j-c) transistor | max. 0,35 °C/W |
| Warmteweerstand Rth(j-c) diode | max. 1,3 °C/W |
| Junctietemperatuur Tj | −40 tot +150 °C |
| Opslagtemperatuur | −40 tot +125 °C |
| Isolatiespanning | 2500 V AC (1 min) |
| Hoofdaansluitingen | M4 |
| Bevestigingsschroeven | M5 |
| Gewicht | 90 g (typ.) |
| Goedkeuring | UL recognized (File No. E80271) |