Fuji Electric 2MBI200N-060 moduł IGBT 600V 200A
- Numer artykułu Schirmer
- 100910
- Producent
- Fuji Electric
Dostępny
119,00 €*
100,00 € netto, plus 19 % VAT (dostawa do Niemiec)
* Wszystkie ceny zawierają VAT, plus koszty wysyłki
Bezpłatnie
Szacunkowy koszt dla wybranej ilości tego produktu. Kwota końcowa i podatki zostaną obliczone przy zamówieniu.
Towary dostępne w magazynie wysyłamy w ciągu 1–2 dni roboczych od otrzymania płatności, a przy zakupie na fakturę po potwierdzeniu zamówienia. Dostawa od wysyłki: Niemcy 1–3 dni robocze, pozostałe kraje UE 3–7 dni roboczych, Szwajcaria, Norwegia, Islandia i Liechtenstein 5–10 dni roboczych.
Niezobowiązująco. Potwierdzimy cenę i dostępność.
Bezpieczne metody płatności
Przesyłka ubezpieczona
Wszystkie artykuły wysyłamy ubezpieczone, ze śledzeniem przesyłki DHL. Wysyłka ekspresowa możliwa na życzenie.
Pytania o produkt?
Porównaj model i wersję ze swoją częścią. Masz wątpliwości co do zgodności lub zakresu dostawy? Zapytaj nas o ten artykuł.
Szczegóły produktu & specyfikacja
Moduł IGBT serii N z dwoma tranzystorami IGBT w układzie półmostka i antyrównoległymi diodami zwrotnymi na 600 V i 200 A. Izolowana obudowa ma zaciski śrubowe M5, wewnątrz znajduje się ograniczenie prądu do około trzykrotności prądu znamionowego.
Informacje ogólne
| Producent | Fuji Electric |
|---|---|
| Typ / model | 2MBI200N-060 |
| Numer artykułu | 100910 |
| Seria | Seria N |
Dane techniczne
| Napięcie kolektor-emiter VCES | 600 V |
|---|---|
| Napięcie bramka-emiter VGES | ±20 V |
| Prąd kolektora IC (ciągły) | 200 A |
| Prąd kolektora IC impulsowy (1 ms) | 400 A |
| Moc strat PC | 780 W |
| VCE(sat) | maks. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Napięcie progowe bramki VGE(th) | 4,5 do 7,5 V |
| Pojemność wejściowa Cies | 13200 pF |
| Pojemność wyjściowa Coes | 2930 pF |
| Pojemność zwrotna Cres | 1330 pF |
| Czas załączania ton | typ. 0,6 µs, maks. 1,2 µs |
| Czas wyłączania toff | typ. 0,6 µs, maks. 1,0 µs |
| Napięcie przewodzenia diody VF | maks. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Czas odzyskiwania zaporowego trr | maks. 300 ns |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) IGBT | maks. 0,16 °C/W |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) dioda | maks. 0,35 °C/W |
| Temperatura złącza Tj | maks. +150 °C |
| Temperatura przechowywania | −40 do +125 °C |
| Napięcie izolacji | 2500 V AC (1 min) |
| Moment dokręcania | 2,5 do 3,5 Nm (M5) |