Toshiba MOSFET z kanałem N TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)
- Numer artykułu Schirmer
- 1004810
- Producent
- Toshiba
Dostępny na zapytanie
Cena na zapytanie
Co dzieje się dalej
Odezwiemy się najszybciej, jak to możliwe, ze wszystkimi szczegółami.
Bezpieczne metody płatności
Przesyłka ubezpieczona
Wszystkie artykuły wysyłamy ubezpieczone, ze śledzeniem przesyłki DHL. Wysyłka ekspresowa możliwa na życzenie.
Pytania o produkt?
Porównaj model i wersję ze swoją częścią. Masz wątpliwości co do zgodności lub zakresu dostawy? Zapytaj nas o ten artykuł.
Szczegóły produktu & specyfikacja
TK25A10K3 to krzemowy tranzystor mocy MOSFET z kanałem N z serii U-MOS IV o napięciu blokowania 100 V i ciągłym prądzie drenu 25 A. Element jest umieszczony w izolowanej obudowie TO-220SIS z trzema wyprowadzeniami i osiąga typową rezystancję w stanie włączenia 31 mΩ.
Informacje ogólne
| Producent | Toshiba |
|---|---|
| Typ / Model | TK25A10K3 |
| Numer artykułu | 1004810 |
| Seria | U-MOS IV |
Dane techniczne
| Typ kanału | Kanał N, typ wzbogacany |
|---|---|
| Napięcie dren-źródło VDSS | 100 V |
| Napięcie bramka-źródło VGSS | ±20 V |
| Ciągły prąd drenu ID | 25 A |
| Rezystancja w stanie włączenia RDS(on) typ. | 31 mΩ |
| Transkonduktancja |Yfs| typ. | 50 S |
| Prąd upływu IDSS maks. | 10 µA (VDS = 100 V) |
| Napięcie progowe bramki Vth | 2,0 do 4,0 V |
| Całkowity ładunek bramki Qg | 34 nC |
| Moc strat PD | 25 W |
| Obudowa | TO-220SIS |