Mitsubishi Electric QM75DY-HB moduł tranzystorowy 75A 600V
- Numer artykułu Schirmer
- 129610
- Producent
- Mitsubishi Electric
Dostępny
107,10 €*
90,00 € netto, plus 19 % VAT (dostawa do Niemiec)
* Wszystkie ceny zawierają VAT, plus koszty wysyłki
Bezpłatnie
Szacunkowy koszt dla wybranej ilości tego produktu. Kwota końcowa i podatki zostaną obliczone przy zamówieniu.
Towary dostępne w magazynie wysyłamy w ciągu 1–2 dni roboczych od otrzymania płatności, a przy zakupie na fakturę po potwierdzeniu zamówienia. Dostawa od wysyłki: Niemcy 1–3 dni robocze, pozostałe kraje UE 3–7 dni roboczych, Szwajcaria, Norwegia, Islandia i Liechtenstein 5–10 dni roboczych.
Niezobowiązująco. Potwierdzimy cenę i dostępność.
Bezpieczne metody płatności
Przesyłka ubezpieczona
Wszystkie artykuły wysyłamy ubezpieczone, ze śledzeniem przesyłki DHL. Wysyłka ekspresowa możliwa na życzenie.
Pytania o produkt?
Porównaj model i wersję ze swoją częścią. Masz wątpliwości co do zgodności lub zakresu dostawy? Zapytaj nas o ten artykuł.
Szczegóły produktu & specyfikacja
Izolowany bipolarny moduł tranzystorowy z dwoma tranzystorami w układzie półmostka, każdy na prąd kolektora 75 A i napięcie kolektor-emiter 600 V. Każda gałąź ma antyrównoległą diodę zwrotną, obudowa ma wymiary 94 x 34 mm i jest izolowana napięciem 2500 V AC.
Informacje ogólne
| Producent | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Typ / model | QM75DY-HB |
| Numer artykułu | 129610 |
| Seria | QM |
Dane techniczne
| Układ | 2 tranzystory, półmostek (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Napięcie kolektor-emiter VCEX | 600 V |
| Napięcie kolektor-baza VCBO | 600 V |
| Napięcie emiter-baza VEBO | 7 V |
| Prąd kolektora IC (DC) | 75 A |
| Prąd wsteczny kolektora −IC (dioda, DC) | 75 A |
| Moc strat PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Prąd bazy IB (DC) | 4,5 A |
| Prąd udarowy diody −ICSM | 750 A |
| Wzmocnienie prądowe DC h FE | min. 750 |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE(sat) | maks. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Napięcie nasycenia baza-emiter VBE(sat) | maks. 3,0 V |
| Napięcie przewodzenia diody | maks. 1,8 V |
| Czas załączania ton | maks. 2,0 µs |
| Czas magazynowania ts | maks. 8,0 µs |
| Czas opadania tf | maks. 3,0 µs |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) tranzystor | maks. 0,35 °C/W na połowę |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) dioda | maks. 1,3 °C/W na połowę |
| Temperatura złącza Tj | −40 do +150 °C |
| Temperatura przechowywania | −40 do +125 °C |
| Napięcie izolacji | 2500 V AC (1 min) |
| Zaciski główne | M5 |
| Śruby mocujące | M6 |
| Wymiary | 94 x 34 mm |
| Waga | 210 g (typ.) |
| Dopuszczenie | UL recognized (File No. E80271) |