1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Numer artykułu Schirmer
- 1003710
- Producent
- Mitsubishi Electric
Dostępny
238,00 €*
200,00 € netto, plus 19 % VAT (dostawa do Niemiec)
* Wszystkie ceny zawierają VAT, plus koszty wysyłki
Bezpłatnie
Szacunkowy koszt dla wybranej ilości tego produktu. Kwota końcowa i podatki zostaną obliczone przy zamówieniu.
Towary dostępne w magazynie wysyłamy w ciągu 1–2 dni roboczych od otrzymania płatności, a przy zakupie na fakturę po potwierdzeniu zamówienia. Dostawa od wysyłki: Niemcy 1–3 dni robocze, pozostałe kraje UE 3–7 dni roboczych, Szwajcaria, Norwegia, Islandia i Liechtenstein 5–10 dni roboczych.
Niezobowiązująco. Potwierdzimy cenę i dostępność.
Bezpieczne metody płatności
Przesyłka ubezpieczona
Wszystkie artykuły wysyłamy ubezpieczone, ze śledzeniem przesyłki DHL. Wysyłka ekspresowa możliwa na życzenie.
Pytania o produkt?
Porównaj model i wersję ze swoją częścią. Masz wątpliwości co do zgodności lub zakresu dostawy? Zapytaj nas o ten artykuł.
Szczegóły produktu & specyfikacja
Inteligentny moduł mocy w konstrukcji flat-base z izolowaną obudową i sześcioma tranzystorami IGBT 4. generacji w trójfazowym układzie mostkowym na 600 V i 75 A. Zintegrowane są sterowanie bramkami oraz zabezpieczenie i sygnalizacja błędu przy przetężeniu, zwarciu, przegrzaniu i podnapięciu.
Informacje ogólne
| Producent | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Typ / model | PM75CSD060 |
| Numer artykułu | 1003710 |
| Seria | CSD (IPM 4. generacji) |
Dane techniczne
| Napięcie kolektor-emiter VCES | 600 V |
|---|---|
| Prąd kolektora ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Szczytowy prąd kolektora ±ICP | 150 A |
| Moc strat PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Układ | Falownik 3-fazowy (6 IGBT z diodami zwrotnymi) |
| Częstotliwość przełączania (projektowa) | 15 kHz |
| VCE(sat) | typ. 1,7 V, maks. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Napięcie zasilania VD (maks.) | 20 V |
| Napięcie obwodu pośredniego z ochroną przeciwzwarciową VCC(PROT) | 400 V |
| Szczytowe napięcie obwodu pośredniego VCC(surge) | 500 V |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) IGBT | maks. 0,49 °C/W |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) dioda | maks. 1,38 °C/W |
| Temperatura złącza Tj | −20 do +150 °C |
| Temperatura obudowy TC | −20 do +100 °C |
| Temperatura przechowywania | −40 do +125 °C |
| Napięcie izolacji | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Funkcje ochronne | Przetężenie, zwarcie, przegrzanie, podnapięcie |
| Zaciski sterujące | 19 |