Mitsubishi QM75HA-H moduł tranzystorowy dużej mocy 75A 600V
- Numer artykułu Schirmer
- 1596
- Producent
- Mitsubishi Electric
Dostępny
59,50 €*
50,00 € netto, plus 19 % VAT (dostawa do Niemiec)
* Wszystkie ceny zawierają VAT, plus koszty wysyłki
6,19 €
Szacunkowy koszt dla wybranej ilości tego produktu. Kwota końcowa i podatki zostaną obliczone przy zamówieniu.
Towary dostępne w magazynie wysyłamy w ciągu 1–2 dni roboczych od otrzymania płatności, a przy zakupie na fakturę po potwierdzeniu zamówienia. Dostawa od wysyłki: Niemcy 1–3 dni robocze, pozostałe kraje UE 3–7 dni roboczych, Szwajcaria, Norwegia, Islandia i Liechtenstein 5–10 dni roboczych.
Niezobowiązująco. Potwierdzimy cenę i dostępność.
Bezpieczne metody płatności
Przesyłka ubezpieczona
Wszystkie artykuły wysyłamy ubezpieczone, ze śledzeniem przesyłki DHL. Wysyłka ekspresowa możliwa na życzenie.
Pytania o produkt?
Porównaj model i wersję ze swoją częścią. Masz wątpliwości co do zgodności lub zakresu dostawy? Zapytaj nas o ten artykuł.
Szczegóły produktu & specyfikacja
Izolowany bipolarny moduł tranzystorowy mocy z jednym tranzystorem na prąd kolektora 75 A i napięcie kolektor-emiter 600 V. Zintegrowana jest antyrównoległa dioda zwrotna, płyta podstawy jest odizolowana od zacisków napięciem 2500 V AC, a zaciski główne wykonano jako zaciski śrubowe M4.
Informacje ogólne
| Producent | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Typ / model | QM75HA-H |
| Numer artykułu | 1596 |
| Seria | QM |
Dane techniczne
| Napięcie kolektor-emiter VCEX | 600 V |
|---|---|
| Napięcie kolektor-baza VCBO | 600 V |
| Napięcie emiter-baza VEBO | 7 V |
| Prąd kolektora IC (DC) | 75 A |
| Prąd wsteczny kolektora −IC (dioda, DC) | 75 A |
| Moc strat PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Prąd bazy IB (DC) | 4,5 A |
| Prąd udarowy diody −ICSM | 750 A |
| Wzmocnienie prądowe DC h FE | min. 75 |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE(sat) | maks. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Napięcie nasycenia baza-emiter VBE(sat) | maks. 2,5 V |
| Napięcie przewodzenia diody | maks. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Czas załączania ton | maks. 2,5 µs |
| Czas magazynowania ts | maks. 12 µs |
| Czas opadania tf | maks. 3,0 µs |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) tranzystor | maks. 0,35 °C/W |
| Rezystancja termiczna Rth(j-c) dioda | maks. 1,3 °C/W |
| Temperatura złącza Tj | −40 do +150 °C |
| Temperatura przechowywania | −40 do +125 °C |
| Napięcie izolacji | 2500 V AC (1 min) |
| Zaciski główne | M4 |
| Śruby mocujące | M5 |
| Waga | 90 g (typ.) |
| Dopuszczenie | UL recognized (File No. E80271) |