Fuji Electric 2MBI200N-060 modul IGBT 600V 200A
- Cod articol Schirmer
- 100910
- Producător
- Fuji Electric
Disponibil
119,00 €*
100,00 € net, plus TVA 19 % (livrare în Germania)
* Toate prețurile includ TVA, plus costuri de livrare
Gratuit
Estimare pentru acest articol și cantitatea selectată. Totalul și taxele se calculează la finalizarea comenzii.
Expediem produsele aflate în stoc în 1–2 zile lucrătoare de la primirea plății, iar la cumpărarea pe factură după confirmarea comenzii. Livrare după expediere: Germania 1–3 zile lucrătoare, restul UE 3–7 zile lucrătoare, Elveția, Norvegia, Islanda și Liechtenstein 5–10 zile lucrătoare.
Fără obligații. Confirmăm prețul și disponibilitatea.
Metode de plată sigure
Expediere asigurată
Expediem toate articolele asigurat, cu urmărire DHL. Livrarea expres este posibilă la cerere.
Întrebări despre produs?
Comparați modelul și versiunea cu piesa dumneavoastră. Aveți nelămuriri privind compatibilitatea sau conținutul livrării? Întrebați-ne despre acest articol.
Detalii produs & specificații
Modul IGBT din seria N cu două IGBT-uri în configurație semipunte și diode de regim liber antiparalele pentru 600 V și 200 A. Carcasa izolată are borne cu șurub M5, iar intern există o limitare a curentului la aproximativ de trei ori curentul nominal.
General
| Producător | Fuji Electric |
|---|---|
| Tip / model | 2MBI200N-060 |
| Număr articol | 100910 |
| Serie | Seria N |
Date tehnice
| Tensiune colector-emitor VCES | 600 V |
|---|---|
| Tensiune poartă-emitor VGES | ±20 V |
| Curent de colector IC (continuu) | 200 A |
| Curent de colector IC în impuls (1 ms) | 400 A |
| Putere disipată PC | 780 W |
| VCE(sat) | max. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Tensiune de prag a porții VGE(th) | 4,5 până la 7,5 V |
| Capacitate de intrare Cies | 13200 pF |
| Capacitate de ieșire Coes | 2930 pF |
| Capacitate de transfer invers Cres | 1330 pF |
| Timp de pornire ton | tip. 0,6 µs, max. 1,2 µs |
| Timp de oprire toff | tip. 0,6 µs, max. 1,0 µs |
| Tensiune directă a diodei VF | max. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Timp de recuperare inversă trr | max. 300 ns |
| Rezistență termică Rth(j-c) IGBT | max. 0,16 °C/W |
| Rezistență termică Rth(j-c) diodă | max. 0,35 °C/W |
| Temperatura joncțiunii Tj | max. +150 °C |
| Temperatura de depozitare | −40 până la +125 °C |
| Tensiune de izolație | 2500 V AC (1 min) |
| Cuplu de strângere | 2,5 până la 3,5 Nm (M5) |