Mitsubishi Electric QM75DY-HB modul tranzistor 75A 600V
- Cod articol Schirmer
- 129610
- Producător
- Mitsubishi Electric
Disponibil
107,10 €*
90,00 € net, plus TVA 19 % (livrare în Germania)
* Toate prețurile includ TVA, plus costuri de livrare
Gratuit
Estimare pentru acest articol și cantitatea selectată. Totalul și taxele se calculează la finalizarea comenzii.
Expediem produsele aflate în stoc în 1–2 zile lucrătoare de la primirea plății, iar la cumpărarea pe factură după confirmarea comenzii. Livrare după expediere: Germania 1–3 zile lucrătoare, restul UE 3–7 zile lucrătoare, Elveția, Norvegia, Islanda și Liechtenstein 5–10 zile lucrătoare.
Fără obligații. Confirmăm prețul și disponibilitatea.
Metode de plată sigure
Expediere asigurată
Expediem toate articolele asigurat, cu urmărire DHL. Livrarea expres este posibilă la cerere.
Întrebări despre produs?
Comparați modelul și versiunea cu piesa dumneavoastră. Aveți nelămuriri privind compatibilitatea sau conținutul livrării? Întrebați-ne despre acest articol.
Detalii produs & specificații
Modul tranzistor bipolar izolat cu doi tranzistori în configurație semipunte, fiecare pentru curent de colector de 75 A și tensiune colector-emitor de 600 V. Fiecare ramură are o diodă de regim liber antiparalelă, carcasa măsoară 94 x 34 mm și este izolată la 2500 V AC.
General
| Producător | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tip / model | QM75DY-HB |
| Număr articol | 129610 |
| Serie | QM |
Date tehnice
| Circuit | 2 tranzistori, semipunte (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Tensiune colector-emitor VCEX | 600 V |
| Tensiune colector-bază VCBO | 600 V |
| Tensiune emitor-bază VEBO | 7 V |
| Curent de colector IC (DC) | 75 A |
| Curent invers de colector −IC (diodă, DC) | 75 A |
| Putere disipată PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Curent de bază IB (DC) | 4,5 A |
| Curent de șoc diodă −ICSM | 750 A |
| Câștig de curent DC h FE | min. 750 |
| Tensiune de saturație colector-emitor VCE(sat) | max. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Tensiune de saturație bază-emitor VBE(sat) | max. 3,0 V |
| Tensiune directă diodă | max. 1,8 V |
| Timp de comutare la deschidere ton | max. 2,0 µs |
| Timp de stocare ts | max. 8,0 µs |
| Timp de cădere tf | max. 3,0 µs |
| Rezistență termică Rth(j-c) tranzistor | max. 0,35 °C/W pe jumătate |
| Rezistență termică Rth(j-c) diodă | max. 1,3 °C/W pe jumătate |
| Temperatura joncțiunii Tj | −40 până la +150 °C |
| Temperatura de depozitare | −40 până la +125 °C |
| Tensiune de izolație | 2500 V AC (1 min) |
| Terminale principale | M5 |
| Șuruburi de fixare | M6 |
| Dimensiuni | 94 x 34 mm |
| Greutate | 210 g (tip.) |
| Omologare | UL recognized (File No. E80271) |