1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Cod articol Schirmer
- 1003710
- Producător
- Mitsubishi Electric
Disponibil
238,00 €*
200,00 € net, plus TVA 19 % (livrare în Germania)
* Toate prețurile includ TVA, plus costuri de livrare
Gratuit
Estimare pentru acest articol și cantitatea selectată. Totalul și taxele se calculează la finalizarea comenzii.
Expediem produsele aflate în stoc în 1–2 zile lucrătoare de la primirea plății, iar la cumpărarea pe factură după confirmarea comenzii. Livrare după expediere: Germania 1–3 zile lucrătoare, restul UE 3–7 zile lucrătoare, Elveția, Norvegia, Islanda și Liechtenstein 5–10 zile lucrătoare.
Fără obligații. Confirmăm prețul și disponibilitatea.
Metode de plată sigure
Expediere asigurată
Expediem toate articolele asigurat, cu urmărire DHL. Livrarea expres este posibilă la cerere.
Întrebări despre produs?
Comparați modelul și versiunea cu piesa dumneavoastră. Aveți nelămuriri privind compatibilitatea sau conținutul livrării? Întrebați-ne despre acest articol.
Detalii produs & specificații
Modul de putere inteligent cu bază plată, carcasă izolată și șase IGBT de generația a 4-a în configurație de punte trifazată pentru 600 V și 75 A. Sunt integrate comanda grilei, precum și protecția și semnalizarea defectelor la supracurent, scurtcircuit, supratemperatură și subtensiune.
General
| Producător | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tip / model | PM75CSD060 |
| Număr articol | 1003710 |
| Serie | CSD (IPM generația a 4-a) |
Date tehnice
| Tensiune colector-emitor VCES | 600 V |
|---|---|
| Curent de colector ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Curent de colector de vârf ±ICP | 150 A |
| Putere disipată PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Circuit | Invertor trifazat (6 IGBT cu diode de regim liber) |
| Frecvență de comutare (proiectare) | 15 kHz |
| VCE(sat) | tip. 1,7 V, max. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Tensiune de alimentare VD (max.) | 20 V |
| Tensiune circuit intermediar protejată la scurtcircuit VCC(PROT) | 400 V |
| Tensiune de vârf circuit intermediar VCC(surge) | 500 V |
| Rezistență termică Rth(j-c) IGBT | max. 0,49 °C/W |
| Rezistență termică Rth(j-c) diodă | max. 1,38 °C/W |
| Temperatura joncțiunii Tj | −20 până la +150 °C |
| Temperatura carcasei TC | −20 până la +100 °C |
| Temperatura de depozitare | −40 până la +125 °C |
| Tensiune de izolație | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Funcții de protecție | Supracurent, scurtcircuit, supratemperatură, subtensiune |
| Terminale de comandă | 19 |