Salt la conținut
Mitsubishi QM30HA-H modul tranzistor 30A 600V

Mitsubishi QM30HA-H modul tranzistor 30A 600V

Cod articol Schirmer
1595
Producător
Mitsubishi Electric

Disponibil

59,50 €*

50,00 € net, plus TVA 19 % (livrare în Germania)

* Toate prețurile includ TVA, plus costuri de livrare

6,19 €

Estimare pentru acest articol și cantitatea selectată. Totalul și taxele se calculează la finalizarea comenzii.

Expediem produsele aflate în stoc în 1–2 zile lucrătoare de la primirea plății, iar la cumpărarea pe factură după confirmarea comenzii. Livrare după expediere: Germania 1–3 zile lucrătoare, restul UE 3–7 zile lucrătoare, Elveția, Norvegia, Islanda și Liechtenstein 5–10 zile lucrătoare.

(4 disponibile)

Fără obligații. Confirmăm prețul și disponibilitatea.

Metode de plată sigure

VisaMastercardFactură (clienți persoane juridice)Plată în avans

Expediere asigurată

Expediem toate articolele asigurat, cu urmărire DHL. Livrarea expres este posibilă la cerere.

Întrebări despre produs?

Comparați modelul și versiunea cu piesa dumneavoastră. Aveți nelămuriri privind compatibilitatea sau conținutul livrării? Întrebați-ne despre acest articol.

Detalii produs & specificații

Modul tranzistor de putere bipolar izolat cu un tranzistor pentru curent de colector de 30 A și tensiune colector-emitor de 600 V. Este integrată o diodă de regim liber antiparalelă, carcasa este izolată la 2500 V AC și are terminale cu șurub M4 pentru colector, emitor și bază.

General

ProducătorMitsubishi Electric
Tip / modelQM30HA-H
Număr articol1595
SerieQM

Date tehnice

Tensiune colector-emitor VCEX600 V
Tensiune colector-bază VCBO600 V
Tensiune emitor-bază VEBO7 V
Curent de colector IC (DC)30 A
Curent invers de colector −IC (diodă, DC)30 A
Putere disipată PC (TC = 25 °C)250 W
Curent de bază IB (DC)1,8 A
Curent de șoc diodă −ICSM300 A
Câștig de curent DC h FEmin. 75
Tensiune de saturație colector-emitor VCE(sat)max. 2,0 V (IC = 30 A, IB = 0,4 A)
Tensiune de saturație bază-emitor VBE(sat)max. 2,5 V
Tensiune directă diodămax. 1,85 V (−IC = 30 A)
Timp de comutare la deschidere tonmax. 1,5 µs
Timp de stocare tsmax. 12 µs
Timp de cădere tfmax. 3,0 µs
Rezistență termică Rth(j-c) tranzistormax. 0,5 °C/W
Rezistență termică Rth(j-c) diodămax. 2,0 °C/W
Temperatura joncțiunii Tj−40 până la +150 °C
Temperatura de depozitare−40 până la +125 °C
Tensiune de izolație2500 V AC (1 min)
Terminale principaleM4
Șuruburi de fixareM5
Greutate90 g (tip.)
OmologareUL recognized (File No. E80271)

Întrebări frecvente

Se restabilește conexiunea …

Conexiunea a fost întreruptă.