Fuji Electric 2MBI150N-060 IGBT-modul 600V 150A
- Številka artikla Schirmer
- 100810
- Proizvajalec
- Fuji Electric
Na voljo
119,00 €*
100,00 € neto, brez 19 % DDV (dostava v Nemčijo)
* Vse cene vključujejo DDV, plus stroški pošiljanja
Brezplačno
Ocena za ta artikel in izbrano količino. Končni znesek in davki se izračunajo ob zaključku nakupa.
Blago na zalogi odpošljemo v 1–2 delovnih dneh po prejemu plačila, pri nakupu po računu po potrditvi naročila. Dostava po odpremi: Nemčija 1–3 delovne dni, druge države EU 3–7 delovnih dni, Švica, Norveška, Islandija in Lihtenštajn 5–10 delovnih dni.
Nezavezujoče. Potrdili bomo ceno in razpoložljivost.
Varni načini plačila
Zavarovana pošiljka
Vse izdelke pošiljamo zavarovano, s sledenjem DHL. Ekspresna dostava je možna na povpraševanje.
Vprašanja o izdelku?
Primerjajte model in izvedbo s svojim delom. Niste prepričani o združljivosti ali obsegu dobave? Vprašajte nas o tem artiklu.
Podrobnosti izdelka & specifikacije
IGBT-modul serije N z dvema IGBT-jema v polmostični vezavi in protivzporednima prostotečnima diodama za 600 V in 150 A. Izolirano ohišje ima vijačne priključke M5, v notranjosti je omejitev toka na približno trikratnik nazivnega toka.
Splošno
| Proizvajalec | Fuji Electric |
|---|---|
| Tip / model | 2MBI150N-060 |
| Številka artikla | 100810 |
| Serija | Serija N |
Tehnični podatki
| Napetost kolektor-emitor VCES | 600 V |
|---|---|
| Napetost vrata-emitor VGES | ±20 V |
| Kolektorski tok IC (trajni) | 150 A |
| Kolektorski tok IC impulzni (1 ms) | 300 A |
| Izgubna moč PC | 600 W |
| VCE(sat) | maks. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 150 A) |
| Pragovna napetost vrat VGE(th) | 4,5 do 7,5 V |
| Vhodna kapacitivnost Cies | 9900 pF |
| Izhodna kapacitivnost Coes | 2200 pF |
| Povratna kapacitivnost Cres | 1000 pF |
| Čas vklopa ton | tip. 0,6 µs, maks. 1,2 µs |
| Čas izklopa toff | tip. 0,6 µs, maks. 1,0 µs |
| Prevodna napetost diode VF | maks. 3,0 V (IF = 150 A) |
| Čas povratnega okrevanja trr | maks. 300 ns |
| Toplotna upornost Rth(j-c) IGBT | maks. 0,21 °C/W |
| Toplotna upornost Rth(j-c) dioda | maks. 0,47 °C/W |
| Temperatura spoja Tj | maks. +150 °C |
| Temperatura skladiščenja | −40 do +125 °C |
| Izolacijska napetost | 2500 V AC (1 min) |
| Zatezni moment | 2,5 do 3,5 Nm (M5) |