Mitsubishi Electric QM75DY-HB tranzistorski modul 75A 600V
- Številka artikla Schirmer
- 129610
- Proizvajalec
- Mitsubishi Electric
Na voljo
107,10 €*
90,00 € neto, brez 19 % DDV (dostava v Nemčijo)
* Vse cene vključujejo DDV, plus stroški pošiljanja
Brezplačno
Ocena za ta artikel in izbrano količino. Končni znesek in davki se izračunajo ob zaključku nakupa.
Blago na zalogi odpošljemo v 1–2 delovnih dneh po prejemu plačila, pri nakupu po računu po potrditvi naročila. Dostava po odpremi: Nemčija 1–3 delovne dni, druge države EU 3–7 delovnih dni, Švica, Norveška, Islandija in Lihtenštajn 5–10 delovnih dni.
Nezavezujoče. Potrdili bomo ceno in razpoložljivost.
Varni načini plačila
Zavarovana pošiljka
Vse izdelke pošiljamo zavarovano, s sledenjem DHL. Ekspresna dostava je možna na povpraševanje.
Vprašanja o izdelku?
Primerjajte model in izvedbo s svojim delom. Niste prepričani o združljivosti ali obsegu dobave? Vprašajte nas o tem artiklu.
Podrobnosti izdelka & specifikacije
Izoliran bipolarni tranzistorski modul z dvema tranzistorjema v polmostični vezavi za po 75 A kolektorskega toka in 600 V napetosti kolektor-emitor. Vsaka veja ima antiparalelno prostotečno diodo, ohišje meri 94 x 34 mm in je izolirano z 2500 V AC.
Splošno
| Proizvajalec | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tip / model | QM75DY-HB |
| Številka artikla | 129610 |
| Serija | QM |
Tehnični podatki
| Vezje | 2 tranzistorja, polmostič (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Napetost kolektor-emitor VCEX | 600 V |
| Napetost kolektor-baza VCBO | 600 V |
| Napetost emitor-baza VEBO | 7 V |
| Kolektorski tok IC (DC) | 75 A |
| Povratni kolektorski tok −IC (dioda, DC) | 75 A |
| Izgubna moč PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Tok baze IB (DC) | 4,5 A |
| Udarni tok diode −ICSM | 750 A |
| Tokovno ojačanje DC h FE | min. 750 |
| Nasičenjska napetost kolektor-emitor VCE(sat) | maks. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Nasičenjska napetost baza-emitor VBE(sat) | maks. 3,0 V |
| Prevodna napetost diode | maks. 1,8 V |
| Čas vklopa ton | maks. 2,0 µs |
| Čas shranjevanja ts | maks. 8,0 µs |
| Čas upadanja tf | maks. 3,0 µs |
| Toplotna upornost Rth(j-c) tranzistor | maks. 0,35 °C/W na polovico |
| Toplotna upornost Rth(j-c) dioda | maks. 1,3 °C/W na polovico |
| Temperatura spoja Tj | −40 do +150 °C |
| Temperatura skladiščenja | −40 do +125 °C |
| Izolacijska napetost | 2500 V AC (1 min) |
| Glavni priključki | M5 |
| Pritrdilni vijaki | M6 |
| Mere | 94 x 34 mm |
| Teža | 210 g (tip.) |
| Odobritev | UL recognized (File No. E80271) |