Mitsubishi QM75HA-H visokozmogljivostni tranzistorski modul 75A 600V
- Številka artikla Schirmer
- 1596
- Proizvajalec
- Mitsubishi Electric
Na voljo
59,50 €*
50,00 € neto, brez 19 % DDV (dostava v Nemčijo)
* Vse cene vključujejo DDV, plus stroški pošiljanja
6,19 €
Ocena za ta artikel in izbrano količino. Končni znesek in davki se izračunajo ob zaključku nakupa.
Blago na zalogi odpošljemo v 1–2 delovnih dneh po prejemu plačila, pri nakupu po računu po potrditvi naročila. Dostava po odpremi: Nemčija 1–3 delovne dni, druge države EU 3–7 delovnih dni, Švica, Norveška, Islandija in Lihtenštajn 5–10 delovnih dni.
Nezavezujoče. Potrdili bomo ceno in razpoložljivost.
Varni načini plačila
Zavarovana pošiljka
Vse izdelke pošiljamo zavarovano, s sledenjem DHL. Ekspresna dostava je možna na povpraševanje.
Vprašanja o izdelku?
Primerjajte model in izvedbo s svojim delom. Niste prepričani o združljivosti ali obsegu dobave? Vprašajte nas o tem artiklu.
Podrobnosti izdelka & specifikacije
Izoliran bipolarni močnostni tranzistorski modul z enim tranzistorjem za kolektorski tok 75 A in napetost kolektor-emitor 600 V. Vgrajena je antiparalelna prostotečna dioda, osnovna plošča je od priključkov izolirana z 2500 V AC, glavni priključki pa so izvedeni kot vijačne sponke M4.
Splošno
| Proizvajalec | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tip / model | QM75HA-H |
| Številka artikla | 1596 |
| Serija | QM |
Tehnični podatki
| Napetost kolektor-emitor VCEX | 600 V |
|---|---|
| Napetost kolektor-baza VCBO | 600 V |
| Napetost emitor-baza VEBO | 7 V |
| Kolektorski tok IC (DC) | 75 A |
| Povratni kolektorski tok −IC (dioda, DC) | 75 A |
| Izgubna moč PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Tok baze IB (DC) | 4,5 A |
| Udarni tok diode −ICSM | 750 A |
| Tokovno ojačanje DC h FE | min. 75 |
| Nasičenjska napetost kolektor-emitor VCE(sat) | maks. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Nasičenjska napetost baza-emitor VBE(sat) | maks. 2,5 V |
| Prevodna napetost diode | maks. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Čas vklopa ton | maks. 2,5 µs |
| Čas shranjevanja ts | maks. 12 µs |
| Čas upadanja tf | maks. 3,0 µs |
| Toplotna upornost Rth(j-c) tranzistor | maks. 0,35 °C/W |
| Toplotna upornost Rth(j-c) dioda | maks. 1,3 °C/W |
| Temperatura spoja Tj | −40 do +150 °C |
| Temperatura skladiščenja | −40 do +125 °C |
| Izolacijska napetost | 2500 V AC (1 min) |
| Glavni priključki | M4 |
| Pritrdilni vijaki | M5 |
| Teža | 90 g (tip.) |
| Odobritev | UL recognized (File No. E80271) |