Fuji Electric 2MBI200N-060 IGBT-модуль 600V 200A
- Артикул Schirmer
- 100910
- Виробник
- Fuji Electric
Доступно
119,00 €*
100,00 € нетто, без ПДВ 19 % (доставка до Німеччини)
* Усі ціни з ПДВ, плюс вартість доставки
Безкоштовно
Орієнтовна вартість для цього товару та вибраної кількості. Підсумок і податки розраховуються при оформленні.
Товари в наявності ми відправляємо протягом 1–2 робочих днів після надходження оплати, а при купівлі за рахунком – після підтвердження замовлення. Доставка після відправлення: Німеччина 1–3 робочі дні, інші країни ЄС 3–7 робочих днів, Швейцарія, Норвегія, Ісландія та Ліхтенштейн 5–10 робочих днів.
Без зобов’язань. Ми підтвердимо ціну та наявність.
Безпечні способи оплати
Застрахована відправка
Ми відправляємо всі товари застрахованими, з відстеженням DHL. Експрес-доставка можлива за запитом.
Запитання щодо товару?
Порівняйте модель і виконання зі своєю деталлю. Є сумніви щодо сумісності або комплекту постачання? Запитайте нас про цей товар.
Деталі товару & специфікації
IGBT-модуль серії N з двома IGBT у напівмостовій схемі та антипаралельними зворотними діодами на 600 V і 200 A. Ізольований корпус має гвинтові клеми M5, всередині передбачено обмеження струму приблизно на рівні триразового номінального струму.
Загальна інформація
| Виробник | Fuji Electric |
|---|---|
| Тип / модель | 2MBI200N-060 |
| Номер артикула | 100910 |
| Серія | Серія N |
Технічні характеристики
| Напруга колектор-емітер VCES | 600 V |
|---|---|
| Напруга затвор-емітер VGES | ±20 V |
| Струм колектора IC (тривалий) | 200 A |
| Імпульсний струм колектора IC (1 ms) | 400 A |
| Потужність розсіювання PC | 780 W |
| VCE(sat) | макс. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Порогова напруга затвора VGE(th) | від 4,5 до 7,5 V |
| Вхідна ємність Cies | 13200 pF |
| Вихідна ємність Coes | 2930 pF |
| Прохідна ємність Cres | 1330 pF |
| Час увімкнення ton | тип. 0,6 µs, макс. 1,2 µs |
| Час вимкнення toff | тип. 0,6 µs, макс. 1,0 µs |
| Пряма напруга діода VF | макс. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Час зворотного відновлення trr | макс. 300 ns |
| Тепловий опір Rth(j-c) IGBT | макс. 0,16 °C/W |
| Тепловий опір Rth(j-c) діод | макс. 0,35 °C/W |
| Температура переходу Tj | макс. +150 °C |
| Температура зберігання | від −40 до +125 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 V AC (1 min) |
| Момент затягування | від 2,5 до 3,5 Nm (M5) |