Перейти до вмісту
Mitsubishi Electric QM75DY-HB транзисторний модуль 75A 600V

Mitsubishi Electric QM75DY-HB транзисторний модуль 75A 600V

Артикул Schirmer
129610
Виробник
Mitsubishi Electric

Доступно

107,10 €*

90,00 € нетто, без ПДВ 19 % (доставка до Німеччини)

* Усі ціни з ПДВ, плюс вартість доставки

Безкоштовно

Орієнтовна вартість для цього товару та вибраної кількості. Підсумок і податки розраховуються при оформленні.

Товари в наявності ми відправляємо протягом 1–2 робочих днів після надходження оплати, а при купівлі за рахунком – після підтвердження замовлення. Доставка після відправлення: Німеччина 1–3 робочі дні, інші країни ЄС 3–7 робочих днів, Швейцарія, Норвегія, Ісландія та Ліхтенштейн 5–10 робочих днів.

(15 доступно)

Без зобов’язань. Ми підтвердимо ціну та наявність.

Безпечні способи оплати

VisaMastercardРахунок (корпоративні клієнти)Передоплата

Застрахована відправка

Ми відправляємо всі товари застрахованими, з відстеженням DHL. Експрес-доставка можлива за запитом.

Запитання щодо товару?

Порівняйте модель і виконання зі своєю деталлю. Є сумніви щодо сумісності або комплекту постачання? Запитайте нас про цей товар.

Деталі товару & специфікації

Ізольований біполярний транзисторний модуль з двома транзисторами в напівмостовій схемі, кожен на струм колектора 75 A і напругу колектор-емітер 600 V. Кожне плече має антипаралельний зворотний діод, корпус має розміри 94 x 34 mm та ізольований напругою 2500 V AC.

Загальна інформація

ВиробникMitsubishi Electric
Тип / модельQM75DY-HB
Артикул129610
СеріяQM

Технічні характеристики

Схема2 транзистори, напівміст (C1, C2E1, E2)
Напруга колектор-емітер VCEX600 V
Напруга колектор-база VCBO600 V
Напруга емітер-база VEBO7 V
Струм колектора IC (DC)75 A
Зворотний струм колектора −IC (діод, DC)75 A
Розсіювана потужність PC (TC = 25 °C)350 W
Струм бази IB (DC)4,5 A
Ударний струм діода −ICSM750 A
Коефіцієнт підсилення струму DC h FEмін. 750
Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat)макс. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA)
Напруга насичення база-емітер VBE(sat)макс. 3,0 V
Пряма напруга діодамакс. 1,8 V
Час увімкнення tonмакс. 2,0 µs
Час розсмоктування tsмакс. 8,0 µs
Час спаду tfмакс. 3,0 µs
Тепловий опір Rth(j-c) транзистормакс. 0,35 °C/W на половину
Тепловий опір Rth(j-c) діодмакс. 1,3 °C/W на половину
Температура переходу Tj−40 до +150 °C
Температура зберігання−40 до +125 °C
Напруга ізоляції2500 V AC (1 min)
Головні виводиM5
Кріпильні гвинтиM6
Розміри94 x 34 mm
Вага210 g (тип.)
СертифікаціяUL recognized (File No. E80271)

Поширені запитання

Відновлення з’єднання …

З’єднання перервано.