
Mitsubishi Electric QM75DY-HB транзисторний модуль 75A 600V
- Артикул Schirmer
- 129610
- Виробник
- Mitsubishi Electric
Доступно
107,10 €*
90,00 € нетто, без ПДВ 19 % (доставка до Німеччини)
* Усі ціни з ПДВ, плюс вартість доставки
Безкоштовно
Орієнтовна вартість для цього товару та вибраної кількості. Підсумок і податки розраховуються при оформленні.
Товари в наявності ми відправляємо протягом 1–2 робочих днів після надходження оплати, а при купівлі за рахунком – після підтвердження замовлення. Доставка після відправлення: Німеччина 1–3 робочі дні, інші країни ЄС 3–7 робочих днів, Швейцарія, Норвегія, Ісландія та Ліхтенштейн 5–10 робочих днів.
Без зобов’язань. Ми підтвердимо ціну та наявність.
Безпечні способи оплати
Застрахована відправка
Ми відправляємо всі товари застрахованими, з відстеженням DHL. Експрес-доставка можлива за запитом.
Запитання щодо товару?
Порівняйте модель і виконання зі своєю деталлю. Є сумніви щодо сумісності або комплекту постачання? Запитайте нас про цей товар.
Деталі товару & специфікації
Ізольований біполярний транзисторний модуль з двома транзисторами в напівмостовій схемі, кожен на струм колектора 75 A і напругу колектор-емітер 600 V. Кожне плече має антипаралельний зворотний діод, корпус має розміри 94 x 34 mm та ізольований напругою 2500 V AC.
Загальна інформація
| Виробник | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Тип / модель | QM75DY-HB |
| Артикул | 129610 |
| Серія | QM |
Технічні характеристики
| Схема | 2 транзистори, напівміст (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер VCEX | 600 V |
| Напруга колектор-база VCBO | 600 V |
| Напруга емітер-база VEBO | 7 V |
| Струм колектора IC (DC) | 75 A |
| Зворотний струм колектора −IC (діод, DC) | 75 A |
| Розсіювана потужність PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Струм бази IB (DC) | 4,5 A |
| Ударний струм діода −ICSM | 750 A |
| Коефіцієнт підсилення струму DC h FE | мін. 750 |
| Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) | макс. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Напруга насичення база-емітер VBE(sat) | макс. 3,0 V |
| Пряма напруга діода | макс. 1,8 V |
| Час увімкнення ton | макс. 2,0 µs |
| Час розсмоктування ts | макс. 8,0 µs |
| Час спаду tf | макс. 3,0 µs |
| Тепловий опір Rth(j-c) транзистор | макс. 0,35 °C/W на половину |
| Тепловий опір Rth(j-c) діод | макс. 1,3 °C/W на половину |
| Температура переходу Tj | −40 до +150 °C |
| Температура зберігання | −40 до +125 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 V AC (1 min) |
| Головні виводи | M5 |
| Кріпильні гвинти | M6 |
| Розміри | 94 x 34 mm |
| Вага | 210 g (тип.) |
| Сертифікація | UL recognized (File No. E80271) |