1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Артикул Schirmer
- 1003710
- Виробник
- Mitsubishi Electric
Доступно
238,00 €*
200,00 € нетто, без ПДВ 19 % (доставка до Німеччини)
* Усі ціни з ПДВ, плюс вартість доставки
Безкоштовно
Орієнтовна вартість для цього товару та вибраної кількості. Підсумок і податки розраховуються при оформленні.
Товари в наявності ми відправляємо протягом 1–2 робочих днів після надходження оплати, а при купівлі за рахунком – після підтвердження замовлення. Доставка після відправлення: Німеччина 1–3 робочі дні, інші країни ЄС 3–7 робочих днів, Швейцарія, Норвегія, Ісландія та Ліхтенштейн 5–10 робочих днів.
Без зобов’язань. Ми підтвердимо ціну та наявність.
Безпечні способи оплати
Застрахована відправка
Ми відправляємо всі товари застрахованими, з відстеженням DHL. Експрес-доставка можлива за запитом.
Запитання щодо товару?
Порівняйте модель і виконання зі своєю деталлю. Є сумніви щодо сумісності або комплекту постачання? Запитайте нас про цей товар.
Деталі товару & специфікації
Інтелектуальний силовий модуль із плоскою основою, ізольованим корпусом і шістьма IGBT 4-го покоління у трифазній мостовій схемі на 600 V і 75 A. Інтегровано керування затворами, а також захист і сигналізацію несправностей у разі перевантаження за струмом, короткого замикання, перегріву та зниженої напруги.
Загальна інформація
| Виробник | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Тип / модель | PM75CSD060 |
| Артикул | 1003710 |
| Серія | CSD (IPM 4-го покоління) |
Технічні характеристики
| Напруга колектор-емітер VCES | 600 V |
|---|---|
| Струм колектора ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Піковий струм колектора ±ICP | 150 A |
| Розсіювана потужність PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Схема | 3-фазний інвертор (6 IGBT зі зворотними діодами) |
| Частота перемикання (розрахункова) | 15 kHz |
| VCE(sat) | тип. 1,7 V, макс. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Напруга живлення VD (макс.) | 20 V |
| Напруга ланки постійного струму із захистом від короткого замикання VCC(PROT) | 400 V |
| Пікова напруга ланки постійного струму VCC(surge) | 500 V |
| Тепловий опір Rth(j-c) IGBT | макс. 0,49 °C/W |
| Тепловий опір Rth(j-c) діод | макс. 1,38 °C/W |
| Температура переходу Tj | −20 до +150 °C |
| Температура корпусу TC | −20 до +100 °C |
| Температура зберігання | −40 до +125 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Захисні функції | Перевантаження за струмом, коротке замикання, перегрів, знижена напруга |
| Керувальні виводи | 19 |