Mitsubishi QM75HA-H потужний транзисторний модуль 75A 600V
- Артикул Schirmer
- 1596
- Виробник
- Mitsubishi Electric
Доступно
59,50 €*
50,00 € нетто, без ПДВ 19 % (доставка до Німеччини)
* Усі ціни з ПДВ, плюс вартість доставки
6,19 €
Орієнтовна вартість для цього товару та вибраної кількості. Підсумок і податки розраховуються при оформленні.
Товари в наявності ми відправляємо протягом 1–2 робочих днів після надходження оплати, а при купівлі за рахунком – після підтвердження замовлення. Доставка після відправлення: Німеччина 1–3 робочі дні, інші країни ЄС 3–7 робочих днів, Швейцарія, Норвегія, Ісландія та Ліхтенштейн 5–10 робочих днів.
Без зобов’язань. Ми підтвердимо ціну та наявність.
Безпечні способи оплати
Застрахована відправка
Ми відправляємо всі товари застрахованими, з відстеженням DHL. Експрес-доставка можлива за запитом.
Запитання щодо товару?
Порівняйте модель і виконання зі своєю деталлю. Є сумніви щодо сумісності або комплекту постачання? Запитайте нас про цей товар.
Деталі товару & специфікації
Ізольований біполярний силовий транзисторний модуль з одним транзистором на струм колектора 75 A і напругу колектор-емітер 600 V. Інтегровано антипаралельний зворотний діод, основа ізольована від виводів напругою 2500 V AC, а головні виводи виконані як гвинтові клеми M4.
Загальна інформація
| Виробник | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Тип / модель | QM75HA-H |
| Артикул | 1596 |
| Серія | QM |
Технічні характеристики
| Напруга колектор-емітер VCEX | 600 V |
|---|---|
| Напруга колектор-база VCBO | 600 V |
| Напруга емітер-база VEBO | 7 V |
| Струм колектора IC (DC) | 75 A |
| Зворотний струм колектора −IC (діод, DC) | 75 A |
| Розсіювана потужність PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Струм бази IB (DC) | 4,5 A |
| Ударний струм діода −ICSM | 750 A |
| Коефіцієнт підсилення струму DC h FE | мін. 75 |
| Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) | макс. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Напруга насичення база-емітер VBE(sat) | макс. 2,5 V |
| Пряма напруга діода | макс. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Час увімкнення ton | макс. 2,5 µs |
| Час розсмоктування ts | макс. 12 µs |
| Час спаду tf | макс. 3,0 µs |
| Тепловий опір Rth(j-c) транзистор | макс. 0,35 °C/W |
| Тепловий опір Rth(j-c) діод | макс. 1,3 °C/W |
| Температура переходу Tj | −40 до +150 °C |
| Температура зберігання | −40 до +125 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 V AC (1 min) |
| Головні виводи | M4 |
| Кріпильні гвинти | M5 |
| Вага | 90 g (тип.) |
| Сертифікація | UL recognized (File No. E80271) |