Mitsubishi Electric QM75DY-HB transistormodul 75A 600V
- Schirmer-varenummer
- 129610
- Producent
- Mitsubishi Electric
Tilgængelig
107,10 €*
90,00 € netto, ekskl. 19 % moms (levering til Tyskland)
* Alle priser inkl. lovpligtig moms, ekskl. fragt
Gratis
Overslag for denne vare og det valgte antal. Slutbeløb og afgifter beregnes ved kassen.
Varer på lager afsender vi inden for 1–2 hverdage efter modtagelse af betalingen, ved køb mod faktura efter ordrebekræftelsen. Levering efter afsendelse: Tyskland 1–3 hverdage, øvrige EU 3–7 hverdage, Schweiz, Norge, Island og Liechtenstein 5–10 hverdage.
Uforpligtende. Vi bekræfter pris og tilgængelighed.
Sikre betalingsmetoder
Forsikret forsendelse
Vi sender alle varer forsikret, inkl. DHL-sporing. Ekspreslevering er mulig efter aftale.
Spørgsmål til produktet?
Sammenlign model og udgave med din del. Er du i tvivl om kompatibiliteten eller leveringsomfanget? Spørg os om denne vare.
Produktdetaljer & specifikationer
Isoleret bipolært transistormodul med to transistorer i halvbrokobling til hver 75 A kollektorstrøm og 600 V kollektor-emitter-spænding. Hver gren har en antiparallel friløbsdiode, huset måler 94 x 34 mm og er isoleret med 2500 V AC.
Generelt
| Producent | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Type / model | QM75DY-HB |
| Varenummer | 129610 |
| Serie | QM |
Tekniske data
| Kobling | 2 transistorer, halvbro (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Kollektor-emitter-spænding VCEX | 600 V |
| Kollektor-basis-spænding VCBO | 600 V |
| Emitter-basis-spænding VEBO | 7 V |
| Kollektorstrøm IC (DC) | 75 A |
| Kollektor-returstrøm −IC (diode, DC) | 75 A |
| Effekttab PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Basisstrøm IB (DC) | 4,5 A |
| Stødstrøm diode −ICSM | 750 A |
| DC-strømforstærkning h FE | min. 750 |
| Kollektor-emitter-mætningsspænding VCE(sat) | maks. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Basis-emitter-mætningsspænding VBE(sat) | maks. 3,0 V |
| Diodens lederetningsspænding | maks. 1,8 V |
| Indkoblingstid ton | maks. 2,0 µs |
| Lagringstid ts | maks. 8,0 µs |
| Faldtid tf | maks. 3,0 µs |
| Termisk modstand Rth(j-c) transistor | maks. 0,35 °C/W pr. halvdel |
| Termisk modstand Rth(j-c) diode | maks. 1,3 °C/W pr. halvdel |
| Junction-temperatur Tj | −40 til +150 °C |
| Opbevaringstemperatur | −40 til +125 °C |
| Isolationsspænding | 2500 V AC (1 min) |
| Hovedterminaler | M5 |
| Monteringsskruer | M6 |
| Mål | 94 x 34 mm |
| Vægt | 210 g (typ.) |
| Godkendelse | UL recognized (File No. E80271) |