
Fuji Electric 2MBI200N-060 módulo IGBT 600V 200A
- Referencia Schirmer
- 100910
- Fabricante
- Fuji Electric
Disponible
119,00 €*
100,00 € neto, más 19 % de IVA (entrega en Alemania)
* Todos los precios con IVA incluido, más gastos de envío
Gratuito
Estimación para este artículo y la cantidad seleccionada. El total y los impuestos se calculan al finalizar la compra.
Enviamos los artículos en stock en un plazo de 1–2 días laborables tras la recepción del pago o, en compras contra factura, tras la confirmación del pedido. Entrega tras el envío: Alemania 1–3 días laborables, resto de la UE 3–7 días laborables, Suiza, Noruega, Islandia y Liechtenstein 5–10 días laborables.
Sin compromiso. Confirmaremos el precio y la disponibilidad.
Métodos de pago seguros
Envío asegurado
Enviamos todos los artículos asegurados, con seguimiento DHL. El envío urgente es posible bajo consulta.
¿Preguntas sobre el producto?
Compare el modelo y la versión con su pieza. ¿Tiene dudas sobre la compatibilidad o los elementos incluidos? Consúltenos sobre este artículo.
Detalles del producto & especificaciones
Módulo IGBT de la serie N con dos IGBT en configuración de medio puente y diodos de libre circulación antiparalelos para 600 V y 200 A. La carcasa aislada dispone de terminales roscados M5 e incorpora internamente una limitación de corriente a aproximadamente el triple de la corriente nominal.
General
| Fabricante | Fuji Electric |
|---|---|
| Tipo / modelo | 2MBI200N-060 |
| Número de artículo | 100910 |
| Serie | Serie N |
Datos técnicos
| Tensión colector-emisor VCES | 600 V |
|---|---|
| Tensión puerta-emisor VGES | ±20 V |
| Corriente de colector IC (continua) | 200 A |
| Corriente de colector IC pulsada (1 ms) | 400 A |
| Potencia disipada PC | 780 W |
| VCE(sat) | máx. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 200 A) |
| Tensión umbral de puerta VGE(th) | 4,5 a 7,5 V |
| Capacidad de entrada Cies | 13200 pF |
| Capacidad de salida Coes | 2930 pF |
| Capacidad de transferencia inversa Cres | 1330 pF |
| Tiempo de encendido ton | típ. 0,6 µs, máx. 1,2 µs |
| Tiempo de apagado toff | típ. 0,6 µs, máx. 1,0 µs |
| Tensión directa del diodo VF | máx. 3,0 V (IF = 200 A) |
| Tiempo de recuperación inversa trr | máx. 300 ns |
| Resistencia térmica Rth(j-c) IGBT | máx. 0,16 °C/W |
| Resistencia térmica Rth(j-c) diodo | máx. 0,35 °C/W |
| Temperatura de unión Tj | máx. +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −40 a +125 °C |
| Tensión de aislamiento | 2500 V AC (1 min) |
| Par de apriete | 2,5 a 3,5 Nm (M5) |