Toshiba MOSFET de canal N TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)
- Referencia Schirmer
- 1004810
- Fabricante
- Toshiba
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Detalles del producto & especificaciones
El TK25A10K3 es un MOSFET de potencia de canal N en tecnología de silicio de la serie U-MOS IV con 100 V de tensión de bloqueo y 25 A de corriente continua de drenador. El componente va alojado en un encapsulado aislado TO-220SIS de tres terminales y alcanza una resistencia en conducción típica de 31 mΩ.
General
| Fabricante | Toshiba |
|---|---|
| Tipo / Modelo | TK25A10K3 |
| Número de artículo | 1004810 |
| Serie | U-MOS IV |
Datos técnicos
| Tipo de canal | Canal N, tipo de enriquecimiento |
|---|---|
| Tensión drenador-fuente VDSS | 100 V |
| Tensión puerta-fuente VGSS | ±20 V |
| Corriente continua de drenador ID | 25 A |
| Resistencia en conducción RDS(on) típ. | 31 mΩ |
| Transconductancia directa |Yfs| típ. | 50 S |
| Corriente de fuga IDSS máx. | 10 µA (VDS = 100 V) |
| Tensión umbral de puerta Vth | 2,0 a 4,0 V |
| Carga total de puerta Qg | 34 nC |
| Disipación de potencia PD | 25 W |
| Encapsulado | TO-220SIS |