Mitsubishi Electric QM75DY-HB módulo de transistor 75A 600V
- Referencia Schirmer
- 129610
- Fabricante
- Mitsubishi Electric
Disponible
107,10 €*
90,00 € neto, más 19 % de IVA (entrega en Alemania)
* Todos los precios con IVA incluido, más gastos de envío
Gratuito
Estimación para este artículo y la cantidad seleccionada. El total y los impuestos se calculan al finalizar la compra.
Enviamos los artículos en stock en un plazo de 1–2 días laborables tras la recepción del pago o, en compras contra factura, tras la confirmación del pedido. Entrega tras el envío: Alemania 1–3 días laborables, resto de la UE 3–7 días laborables, Suiza, Noruega, Islandia y Liechtenstein 5–10 días laborables.
Sin compromiso. Confirmaremos el precio y la disponibilidad.
Métodos de pago seguros
Envío asegurado
Enviamos todos los artículos asegurados, con seguimiento DHL. El envío urgente es posible bajo consulta.
¿Preguntas sobre el producto?
Compare el modelo y la versión con su pieza. ¿Tiene dudas sobre la compatibilidad o los elementos incluidos? Consúltenos sobre este artículo.
Detalles del producto & especificaciones
Módulo de transistor bipolar aislado con dos transistores en configuración de medio puente, cada uno para 75 A de corriente de colector y 600 V de tensión colector-emisor. Cada rama dispone de un diodo de libre circulación antiparalelo, la carcasa mide 94 x 34 mm y está aislada con 2500 V AC.
General
| Fabricante | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tipo / modelo | QM75DY-HB |
| Número de artículo | 129610 |
| Serie | QM |
Datos técnicos
| Circuito | 2 transistores, medio puente (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Tensión colector-emisor VCEX | 600 V |
| Tensión colector-base VCBO | 600 V |
| Tensión emisor-base VEBO | 7 V |
| Corriente de colector IC (DC) | 75 A |
| Corriente inversa de colector −IC (diodo, DC) | 75 A |
| Potencia disipada PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Corriente de base IB (DC) | 4,5 A |
| Corriente de choque del diodo −ICSM | 750 A |
| Ganancia de corriente DC h FE | mín. 750 |
| Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat) | máx. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Tensión de saturación base-emisor VBE(sat) | máx. 3,0 V |
| Tensión directa del diodo | máx. 1,8 V |
| Tiempo de encendido ton | máx. 2,0 µs |
| Tiempo de almacenamiento ts | máx. 8,0 µs |
| Tiempo de caída tf | máx. 3,0 µs |
| Resistencia térmica Rth(j-c) transistor | máx. 0,35 °C/W por mitad |
| Resistencia térmica Rth(j-c) diodo | máx. 1,3 °C/W por mitad |
| Temperatura de unión Tj | −40 a +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −40 a +125 °C |
| Tensión de aislamiento | 2500 V AC (1 min) |
| Terminales principales | M5 |
| Tornillos de fijación | M6 |
| Dimensiones | 94 x 34 mm |
| Peso | 210 g (típ.) |
| Homologación | UL recognized (File No. E80271) |