1 / 2Mitsubishi PM75CSD060 IGBT Power Module 75A 600V
- Referencia Schirmer
- 1003710
- Fabricante
- Mitsubishi Electric
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Detalles del producto & especificaciones
Módulo de potencia inteligente de base plana con carcasa aislada y seis IGBT de 4.ª generación en puente trifásico para 600 V y 75 A. Integra el control de puerta así como la protección y la señalización de fallos por sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura y subtensión.
General
| Fabricante | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tipo / modelo | PM75CSD060 |
| Número de artículo | 1003710 |
| Serie | CSD (IPM 4.ª generación) |
Datos técnicos
| Tensión colector-emisor VCES | 600 V |
|---|---|
| Corriente de colector ±IC (TC = 25 °C) | 75 A |
| Corriente de colector de pico ±ICP | 150 A |
| Potencia disipada PC (TC = 25 °C) | 255 W |
| Circuito | Inversor trifásico (6 IGBT con diodos de libre circulación) |
| Frecuencia de conmutación (diseño) | 15 kHz |
| VCE(sat) | típ. 1,7 V, máx. 2,3 V (IC = 75 A, Tj = 25 °C) |
| Tensión de alimentación VD (máx.) | 20 V |
| Tensión del circuito intermedio protegida contra cortocircuito VCC(PROT) | 400 V |
| Tensión de pico del circuito intermedio VCC(surge) | 500 V |
| Resistencia térmica Rth(j-c) IGBT | máx. 0,49 °C/W |
| Resistencia térmica Rth(j-c) diodo | máx. 1,38 °C/W |
| Temperatura de unión Tj | −20 a +150 °C |
| Temperatura de la carcasa TC | −20 a +100 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −40 a +125 °C |
| Tensión de aislamiento | 2500 Vrms (60 Hz, 1 min) |
| Funciones de protección | Sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura, subtensión |
| Terminales de control | 19 |