Mitsubishi QM75HA-H módulo de transistor de alta potencia 75A 600V
- Referencia Schirmer
- 1596
- Fabricante
- Mitsubishi Electric
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Detalles del producto & especificaciones
Módulo de transistor de potencia bipolar aislado con un transistor para 75 A de corriente de colector y 600 V de tensión colector-emisor. Integra un diodo de libre circulación antiparalelo, la placa base está aislada de los terminales con 2500 V AC y los terminales principales están realizados como bornes de tornillo M4.
General
| Fabricante | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tipo / modelo | QM75HA-H |
| Número de artículo | 1596 |
| Serie | QM |
Datos técnicos
| Tensión colector-emisor VCEX | 600 V |
|---|---|
| Tensión colector-base VCBO | 600 V |
| Tensión emisor-base VEBO | 7 V |
| Corriente de colector IC (DC) | 75 A |
| Corriente inversa de colector −IC (diodo, DC) | 75 A |
| Potencia disipada PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Corriente de base IB (DC) | 4,5 A |
| Corriente de choque del diodo −ICSM | 750 A |
| Ganancia de corriente DC h FE | mín. 75 |
| Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat) | máx. 2,0 V (IC = 75 A, IB = 1 A) |
| Tensión de saturación base-emisor VBE(sat) | máx. 2,5 V |
| Tensión directa del diodo | máx. 1,85 V (−IC = 75 A) |
| Tiempo de encendido ton | máx. 2,5 µs |
| Tiempo de almacenamiento ts | máx. 12 µs |
| Tiempo de caída tf | máx. 3,0 µs |
| Resistencia térmica Rth(j-c) transistor | máx. 0,35 °C/W |
| Resistencia térmica Rth(j-c) diodo | máx. 1,3 °C/W |
| Temperatura de unión Tj | −40 a +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −40 a +125 °C |
| Tensión de aislamiento | 2500 V AC (1 min) |
| Terminales principales | M4 |
| Tornillos de fijación | M5 |
| Peso | 90 g (típ.) |
| Homologación | UL recognized (File No. E80271) |