Módulo transistor IGBT NIEC PDMB200E6 200A 600V
- Referencia Schirmer
- 1937
- Fabricante
- NIEC
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Detalles del producto & especificaciones
Módulo transistor IGBT para aplicaciones industriales de potencia con corriente de colector de 200 A y tensión de bloqueo de 600 V.
Información general
| Fabricante | NIEC |
|---|---|
| Tipo / Modelo | Módulo transistor IGBT NIEC PDMB200E6 200A 600V |
| Número de artículo | 1937 |
Datos técnicos
| Tipo de componente | Módulo transistor IGBT |
|---|---|
| Tipo de transistor | Transistor bipolar de puerta aislada de canal N |
| Tensión colector-emisor (VCEO) | 600 V |
| Corriente máxima de colector | 200 A |
| Temperatura máxima de funcionamiento | 150 °C |
| Número de elementos | 2 |
| Conexiones | 7 |
| RoHS | No conforme |