Fuji Electric 2MBI150N-060 modulo IGBT 600V 150A
- Codice articolo Schirmer
- 100810
- Produttore
- Fuji Electric
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Dettagli del prodotto & specifiche
Modulo IGBT della serie N con due IGBT in configurazione a semiponte e diodi di ricircolo antiparalleli per 600 V e 150 A. Il contenitore isolato dispone di morsetti a vite M5, internamente è presente una limitazione di corrente a circa il triplo della corrente nominale.
Generale
| Produttore | Fuji Electric |
|---|---|
| Tipo / modello | 2MBI150N-060 |
| Codice articolo | 100810 |
| Serie | Serie N |
Dati tecnici
| Tensione collettore-emettitore VCES | 600 V |
|---|---|
| Tensione gate-emettitore VGES | ±20 V |
| Corrente di collettore IC (continua) | 150 A |
| Corrente di collettore IC impulsiva (1 ms) | 300 A |
| Potenza dissipata PC | 600 W |
| VCE(sat) | max. 2,8 V (VGE = 15 V, IC = 150 A) |
| Tensione di soglia del gate VGE(th) | 4,5 a 7,5 V |
| Capacità di ingresso Cies | 9900 pF |
| Capacità di uscita Coes | 2200 pF |
| Capacità di trasferimento inversa Cres | 1000 pF |
| Tempo di accensione ton | tip. 0,6 µs, max. 1,2 µs |
| Tempo di spegnimento toff | tip. 0,6 µs, max. 1,0 µs |
| Tensione diretta del diodo VF | max. 3,0 V (IF = 150 A) |
| Tempo di recupero inverso trr | max. 300 ns |
| Resistenza termica Rth(j-c) IGBT | max. 0,21 °C/W |
| Resistenza termica Rth(j-c) diodo | max. 0,47 °C/W |
| Temperatura di giunzione Tj | max. +150 °C |
| Temperatura di stoccaggio | −40 a +125 °C |
| Tensione di isolamento | 2500 V AC (1 min) |
| Coppia di serraggio | 2,5 a 3,5 Nm (M5) |