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Toshiba MOSFET a canale N TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)

Toshiba MOSFET a canale N TK25A10K3 (100 V, 25 A, TO-220SIS)

Codice articolo Schirmer
1004810
Produttore
Toshiba

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Dettagli del prodotto & specifiche

Il TK25A10K3 è un MOSFET di potenza a canale N in tecnologia al silicio della serie U-MOS IV con tensione di blocco di 100 V e corrente di drain continua di 25 A. Il componente è alloggiato in un contenitore isolato TO-220SIS a tre terminali e raggiunge una resistenza in conduzione tipica di 31 mΩ.

Generale

ProduttoreToshiba
Tipo / ModelloTK25A10K3
Codice articolo1004810
SerieU-MOS IV

Dati tecnici

Tipo di canaleCanale N, ad arricchimento
Tensione drain-source VDSS100 V
Tensione gate-source VGSS±20 V
Corrente di drain continua ID25 A
Resistenza in conduzione RDS(on) tip.31 mΩ
Transconduttanza diretta |Yfs| tip.50 S
Corrente di dispersione IDSS max.10 µA (VDS = 100 V)
Tensione di soglia del gate Vthda 2,0 a 4,0 V
Carica totale di gate Qg34 nC
Potenza dissipata PD25 W
ContenitoreTO-220SIS

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