Mitsubishi Electric QM75DY-HB modulo transistor 75A 600V
- Codice articolo Schirmer
- 129610
- Produttore
- Mitsubishi Electric
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Dettagli del prodotto & specifiche
Modulo transistor bipolare isolato con due transistor in configurazione a mezzo ponte, ciascuno per 75 A di corrente di collettore e 600 V di tensione collettore-emettitore. Ogni ramo dispone di un diodo di ricircolo antiparallelo, il contenitore misura 94 x 34 mm ed è isolato a 2500 V AC.
Generale
| Produttore | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tipo / modello | QM75DY-HB |
| Codice articolo | 129610 |
| Serie | QM |
Dati tecnici
| Circuito | 2 transistor, mezzo ponte (C1, C2E1, E2) |
|---|---|
| Tensione collettore-emettitore VCEX | 600 V |
| Tensione collettore-base VCBO | 600 V |
| Tensione emettitore-base VEBO | 7 V |
| Corrente di collettore IC (DC) | 75 A |
| Corrente inversa di collettore −IC (diodo, DC) | 75 A |
| Potenza dissipata PC (TC = 25 °C) | 350 W |
| Corrente di base IB (DC) | 4,5 A |
| Corrente di picco diodo −ICSM | 750 A |
| Guadagno di corrente DC h FE | min. 750 |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore VCE(sat) | max. 2,5 V (IC = 75 A, IB = 100 mA) |
| Tensione di saturazione base-emettitore VBE(sat) | max. 3,0 V |
| Tensione diretta del diodo | max. 1,8 V |
| Tempo di accensione ton | max. 2,0 µs |
| Tempo di immagazzinamento ts | max. 8,0 µs |
| Tempo di discesa tf | max. 3,0 µs |
| Resistenza termica Rth(j-c) transistor | max. 0,35 °C/W per metà |
| Resistenza termica Rth(j-c) diodo | max. 1,3 °C/W per metà |
| Temperatura di giunzione Tj | −40 a +150 °C |
| Temperatura di stoccaggio | −40 a +125 °C |
| Tensione di isolamento | 2500 V AC (1 min) |
| Terminali principali | M5 |
| Viti di fissaggio | M6 |
| Dimensioni | 94 x 34 mm |
| Peso | 210 g (tip.) |
| Omologazione | UL recognized (File No. E80271) |