Mitsubishi QM30HA-H modulo transistor 30A 600V
- Codice articolo Schirmer
- 1595
- Produttore
- Mitsubishi Electric
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Dettagli del prodotto & specifiche
Modulo transistor di potenza bipolare isolato con un transistor per 30 A di corrente di collettore e 600 V di tensione collettore-emettitore. È integrato un diodo di ricircolo antiparallelo, il contenitore è isolato a 2500 V AC e dispone di terminali a vite M4 per collettore, emettitore e base.
Generale
| Produttore | Mitsubishi Electric |
|---|---|
| Tipo / modello | QM30HA-H |
| Codice articolo | 1595 |
| Serie | QM |
Dati tecnici
| Tensione collettore-emettitore VCEX | 600 V |
|---|---|
| Tensione collettore-base VCBO | 600 V |
| Tensione emettitore-base VEBO | 7 V |
| Corrente di collettore IC (DC) | 30 A |
| Corrente inversa di collettore −IC (diodo, DC) | 30 A |
| Potenza dissipata PC (TC = 25 °C) | 250 W |
| Corrente di base IB (DC) | 1,8 A |
| Corrente di picco diodo −ICSM | 300 A |
| Guadagno di corrente DC h FE | min. 75 |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore VCE(sat) | max. 2,0 V (IC = 30 A, IB = 0,4 A) |
| Tensione di saturazione base-emettitore VBE(sat) | max. 2,5 V |
| Tensione diretta del diodo | max. 1,85 V (−IC = 30 A) |
| Tempo di accensione ton | max. 1,5 µs |
| Tempo di immagazzinamento ts | max. 12 µs |
| Tempo di discesa tf | max. 3,0 µs |
| Resistenza termica Rth(j-c) transistor | max. 0,5 °C/W |
| Resistenza termica Rth(j-c) diodo | max. 2,0 °C/W |
| Temperatura di giunzione Tj | −40 a +150 °C |
| Temperatura di stoccaggio | −40 a +125 °C |
| Tensione di isolamento | 2500 V AC (1 min) |
| Terminali principali | M4 |
| Viti di fissaggio | M5 |
| Peso | 90 g (tip.) |
| Omologazione | UL recognized (File No. E80271) |